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龙图腾网获悉哈尔滨理工大学申请的专利一种提高绝缘子沿面闪络的非线性材料梯度涂覆方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410957960.0，技术领域涉及：H01B19/04；该发明授权一种提高绝缘子沿面闪络的非线性材料梯度涂覆方法是由刘骥;毛梓睿;李枕;张龙飞;高禾;魏尧新;朱博;孙磊设计研发完成，并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高绝缘子沿面闪络的非线性材料梯度涂覆方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提高绝缘子沿面闪络的非线性材料梯度涂覆方法，属于高压绝缘材料技术领域，针对盆式绝缘子，采用非线性材料SiC作为涂覆材料，在环氧树脂中掺加不同质量分数SiC作为涂覆层涂覆在盆式绝缘子表面；通过Comsol软件仿真得到绝缘子表面电场分布；随后通过改变涂覆层的层数、厚度和高度，分别总结得到涂覆层的层数、厚度和高度在绝缘子表面电场分布规律，最终选取涂覆层的层数为3层，厚度为0.5mm，高度为非均匀分布1.1mm、2.8mm、11.1mm，即确定提高绝缘子沿面闪络的非线性材料梯度涂覆方法。本发明采用上述的一种提高绝缘子沿面闪络的非线性材料梯度涂覆方法，提高了盆式绝缘子在SF6气氛中的直流沿面闪络电压，且涂覆方法难度低、可操作性强。

本发明授权一种提高绝缘子沿面闪络的非线性材料梯度涂覆方法在权利要求书中公布了：1.一种提高绝缘子沿面闪络的非线性材料梯度涂覆方法，其特征在于，所述涂覆方法的过程为：向环氧树脂中分别掺入不同质量分数的非线性材料SiC，得到涂覆层，将所述涂覆层加入至绝缘子表面，通过测试所述涂覆层的表面电导率和表面电位衰减，反演得到绝缘子的表面陷阱能级和密度； 所述涂覆方法包括以下步骤： S1、基于Comsol建立盆式绝缘子模型，并将所述涂覆层加入绝缘子表面，仿真得到绝缘子表面电场分布； S2、改变所述涂覆层在所述绝缘子表面的层数，通过所述盆式绝缘子模型仿真绝缘子表面电场分布，总结绝缘子表面电场随所述涂覆层层数的变化规律，确定所述涂覆层的层数； S3、改变所述涂覆层在所述绝缘子表面的厚度，通过所述盆式绝缘子模型仿真绝缘子表面电场分布，总结绝缘子表面电场随所述涂覆层厚度的变化规律，确定所述涂覆层的厚度； S4、改变所述涂覆层在所述绝缘子表面的高度，通过所述盆式绝缘子模型仿真绝缘子表面电场分布，总结绝缘子表面电场随所述涂覆层高度的变化规律，确定所述涂覆层的高度； S5、根据确定的所述涂覆层在所述绝缘子表面的层数、厚度与高度，得到所述提高绝缘子沿面闪络的非线性材料梯度涂覆方法。

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