台湾积体电路制造股份有限公司洪嘉明获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223239780U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421695414.6，技术领域涉及：B81B3/00；该实用新型半导体装置是由洪嘉明;戴文川;陈俊纮;王绍达;陈相甫设计研发完成，并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型的各种实施例是关于一种半导体装置，所述装置可包括传感电极、第一介电层、第二介电层、致动膜片以及第三介电层。传感电极位于基底上方且位于多个隔离沟渠之间。第一介电层的多个部分位于传感电极上。第二介电层的一部分位于传感电极上及第一介电层的多个部分上。致动膜片位于第二介电层上方，其中致动膜片与第二介电层通过空腔间隔开。第三介电层位于致动膜片上，其中第三介电层位于致动膜片与空腔之间，且其中第二介电层的一部分的厚度大于第三介电层的厚度。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 传感电极，位于基底上方且位于多个隔离沟渠之间； 第一介电层的多个部分，位于所述传感电极上； 第二介电层的一部分，位于所述传感电极上及所述第一介电层的所述多个部分上， 致动膜片，位于所述第二介电层上方， 其中所述致动膜片与所述第二介电层通过空腔间隔开；以及 第三介电层，位于所述致动膜片上， 其中所述第三介电层位于所述致动膜片与所述空腔之间，且 其中所述第二介电层的所述一部分的厚度大于所述第三介电层的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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