苏州华太电子技术股份有限公司岳丹诚获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利半导体结构和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118335797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410404497.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构和半导体器件是由岳丹诚;张耀辉;刘宇;王畅畅;张晓宇设计研发完成，并于2024-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种半导体结构和半导体器件。该半导体结构至少包括：栅极结构区以及分别位于所述栅极结构区两侧的源极区和漏极区；其中，所述栅极结构区至少包括：由内而外设置的沟道区和栅极区，所述沟道区包覆于所述栅极区内腔，且所述沟道区分别与所述源极区、所述漏极区和所述栅极区贴合；所述漏极区、所述源极区和所述沟道区为同种类型的离子掺杂。提供了一种体导通，非反型电子层，隧穿效应小，栅极漏电少，功耗低，电子或空穴漂移速度更高，载流子的迁移效率更高的半导体结构。
本发明授权半导体结构和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括： 栅极结构区以及分别位于所述栅极结构区两侧的源极区和漏极区；其中，所述栅极结构区至少包括： 由内而外设置的沟道区和栅极区，所述沟道区包覆于所述栅极区内腔中间位置，所述栅极区分布于所述沟道区垂直方向的两侧，所述源极区和所述漏极区分别位于所述沟道区水平方向两侧，且所述沟道区分别与所述源极区、所述漏极区和所述栅极区贴合并连接；所述漏极区、所述源极区和所述沟道区为同种类型的离子掺杂，为同质结器件结构；所述漏极区、所述源极区和所述沟道区为一体制成； 介质层，设置于所述栅极区和所述沟道区之间，且分别与所述栅极区、所述沟道区、所述漏极区和所述源极区贴合，所述栅极区被所述介质层完全包覆； 缓冲阻隔区，位于所述沟道区与所述介质层之间，且分别与所述介质层、所述沟道区、所述漏极区和所述源极区相贴合；所述缓冲阻隔区的离子掺杂浓度不大于1e17cm3，所述缓冲阻隔区的离子掺杂浓度小于所述漏极区和所述源极区的离子掺杂浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州华太电子技术股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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