长春理工大学董莉彤获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种基于光栅耦合MIM结构的SERS衬底及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118150545B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410233265.X，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权一种基于光栅耦合MIM结构的SERS衬底及其制备方法和应用是由董莉彤;王悦;李翔宇;刘梦楠;胡婧;王璐;胡翠华;宋正勋;王作斌设计研发完成，并于2024-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于光栅耦合MIM结构的SERS衬底及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于表面增强拉曼光谱检测技术领域，具体公开了一种基于光栅耦合MIM结构的SERS衬底及其制备方法和应用，MIM结构中选择Ag层作为SERS活性层，解决了在传统制造方案中使用Ag颗粒，随机产生“热点”导致的衬底制备不可重复的问题；MIM结构中选择SU8层作为绝缘层，解决了在传统制造方案中使用SiO2层，因材料的折射率低导致干涉场强度不高的问题；通过激光干涉光刻技术和位移Talbot光刻技术来制造光栅结构，解决了使用电子束光刻、聚焦离子束光刻等技术带来的高成本、低效率的问题。
本发明授权一种基于光栅耦合MIM结构的SERS衬底及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于光栅耦合MIM结构的SERS衬底，包括硅基底、位于基底上表面的反射层、位于反射层上表面的绝缘层、位于绝缘层上表面的光栅结构层和位于光栅结构层上表面的SERS活性层；其特征在于：所述SERS活性层为Ag层，所述绝缘层为SU8光刻胶层，所述反射层为Au层； 所述Ag层厚度为40nm，光栅结构层的光栅高度为250nm，所述SU8光刻胶层厚度为20nm，所述Au层厚度为50nm。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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