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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118563288B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311811897.1，技术领域涉及：C23C16/50；该发明授权薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质是由石怀磊;张孝勇;宁建平;于棚;蔡新晨;路晓妍;郭强;邵胜琦设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种薄膜沉积设备、一种薄膜沉积方法及一种计算机可读存储介质。所述薄膜沉积设备包括工艺腔室、第一反应源、第二反应源及气路切换机构。该工艺腔室用于容纳待加工的晶圆。该第一反应源用于提供第一反应物，经由第一气路连接所述工艺腔室，并经由第二气路连接排气管。该第二反应源用于提供第二反应物，经由第三气路连接所述工艺腔室，并经由第四气路连接所述排气管。利用气路切换机构，本发明可以使多种反应源交替在晶圆表面沉积多种不同成分及含量的薄膜，以提升多层薄膜的总沉积效率、组合薄膜对多种不同材料的阻挡能力。

本发明授权薄膜沉积设备、薄膜沉积方法及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括： 工艺腔室，用于容纳待加工的晶圆； 第一反应源，用于提供第一反应物，经由第一气路连接所述工艺腔室，并经由第二气路连接排气管； 第二反应源，用于提供第二反应物，经由第三气路连接所述工艺腔室，并经由第四气路连接所述排气管；以及 气路切换机构，被配置为：在薄膜沉积工艺的第一循环的沉积流程中，将所述第一反应源切换到所述第一气路，并将所述第二反应源切换到所述第四气路，以利用第一流量的第一反应物在所述晶圆表面沉积第一薄膜；在所述薄膜沉积工艺的第一循环的反应流程中，将所述第一反应源切换到所述第二气路，并将所述第二反应源同步切换到所述第三气路，以利用第二流量的第二反应物在所述晶圆表面沉积第二薄膜；在所述薄膜沉积工艺后续的至少一个第二循环的沉积流程中，将所述第一反应源切换回所述第一气路，并将所述第二反应源同步切换回所述第四气路，以利用第三流量的第一反应物在所述晶圆表面沉积至少一层第三薄膜；以及在所述至少一个第二循环的反应流程中，将所述第一反应源切换回所述第二气路，并将所述第二反应源同步切换回所述第三气路，以利用第四流量的第二反应物在所述晶圆表面沉积至少一层第四薄膜，其中，所述第一薄膜及所述至少一层第三薄膜为第一密度的金属阻挡膜，所述第二薄膜及所述至少一层第四薄膜为第二密度的氧元素阻挡膜，所述第二密度大于所述第一密度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。