福建泓光半导体材料有限公司林国清获国家专利权
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龙图腾网获悉福建泓光半导体材料有限公司申请的专利一种抗反射涂层组合物及制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117887328B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311747230.X,技术领域涉及:C09D163/00;该发明授权一种抗反射涂层组合物及制备方法和应用是由林国清;毛鸿超;王静设计研发完成,并于2023-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗反射涂层组合物及制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明属于光刻技术领域,公开了一种抗反射涂层组合物及制备方法和应用。本发明提供的抗反射涂层组合物中含有芳香硫代环氧树脂、产酸剂、交联剂和溶剂以及任选的表面活性剂;所述芳香硫代环氧树脂包括衍生自芳香硫代二环氧化物的结构单元以及衍生自羟烷基异氰尿酸酯的结构单元。本发明的关键在于采用具有特定结构的芳香硫代二环氧化物与羟烷基异氰尿酸酯经加成反应得到芳香硫代环氧树脂,当将该芳香硫代环氧树脂应用于光刻领域作为抗反射涂层组合物的成膜树脂时,能够很好地提高折射率、吸光度以及膜厚方面的稳定性,折射率、吸光度以及膜厚随着静置时间的延长不会发生大变化,极具应用前景。
本发明授权一种抗反射涂层组合物及制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种抗反射涂层组合物,其特征在于,所述抗反射涂层组合物中含有芳香硫代环氧树脂、产酸剂、交联剂和溶剂以及任选的表面活性剂;所述芳香硫代环氧树脂包括衍生自式1所示芳香硫代二环氧化物的结构单元以及衍生自式2所示羟烷基异氰尿酸酯的结构单元; 式1中,Ar为亚芳香基,R1选自H、C1~C6的烷基、C1~C6的卤代烷基、C1~C6的烷氧基、硝基、亚硝基或卤素; 式2中,R2和R3各自独立地选自C1~C6的烷基、C1~C6的卤代烷基、C1~C6的烷羟基、C1~C6的烷烯基或C6~C20的芳基,n为1~10。
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