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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种气体吹扫结构及半导体沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118563282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311707170.9，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种气体吹扫结构及半导体沉积设备是由王婷;张赛谦;关帅;魏薇设计研发完成，并于2023-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种气体吹扫结构及半导体沉积设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种气体吹扫结构及半导体沉积设备，涉及半导体加工技术领域。该气体吹扫结构包括吹气组件和设置在吹气组件内部的进气组件，进气组件的环形外壁与吹气组件的环形内壁之间形成有第一分气凹槽，进气组件内设有进气管路，环形外壁上具有与进气组件的中心线平行的第一母线和第二母线，第一母线为环形外壁上距离进气管路的末端最近的直线，第二母线为环形外壁上距离进气管路的末端最远的直线，环形外壁与环形内壁之间的垂直距离由第一母线至第二母线依次减小，吹气组件上设有多个第一分气小管，第一分气小管所在的直线经过吹气组件的中心，多个第一分气小管沿吹气组件的周向间隔分布。该气体吹扫结构能够使吹扫气体的流量分布更加均匀。

本发明授权一种气体吹扫结构及半导体沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种气体吹扫结构，其特征在于，包括：吹气组件和设置在所述吹气组件内部的进气组件，所述进气组件的环形外壁与所述吹气组件的环形内壁之间形成有第一分气凹槽，所述进气组件内设有进气管路，所述环形外壁上具有与所述进气组件的中心线平行的第一母线和第二母线，所述第一母线为所述环形外壁上距离所述进气管路的末端最近的直线，所述第二母线为所述环形外壁上距离所述进气管路的末端最远的直线，所述环形外壁与所述环形内壁之间的垂直距离由所述第一母线至所述第二母线依次减小，所述吹气组件上设有多个第一分气小管，所述第一分气小管所在的直线经过所述吹气组件的中心，多个所述第一分气小管沿所述吹气组件的周向间隔分布； 所述吹气组件包括吹气圆环，所述第一分气小管位于所述吹气圆环上，所述第一分气小管沿所述吹气圆环的径向延伸，所述进气组件包括进气圆盘，所述进气管路位于所述进气圆盘上，所述进气圆盘的外径小于所述吹气圆环的内径，所述进气圆盘与所述吹气圆环偏心设置； 所述进气组件还包括分气圆环，所述分气圆环设置在所述进气圆盘和所述吹气圆环之间，所述分气圆环的外壁与所述吹气圆环的内壁之间形成有所述第一分气凹槽，所述分气圆环的内壁与所述进气圆盘的外壁之间形成有第二分气凹槽，所述分气圆环上设有多个第二分气小管，所述第二分气小管沿所述分气圆环的径向延伸，所述第二分气小管与所述进气管路的末端错位设置； 多个所述第二分气小管沿所述分气圆环的圆周方向间隔分布，所述进气圆盘与所述分气圆环同心设置，自所述第一母线至所述第二母线处，相邻的两个所述第二分气小管之间的夹角先增大后减小。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110179 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。