郑州磨料磨具磨削研究所有限公司范天扬获国家专利权
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龙图腾网获悉郑州磨料磨具磨削研究所有限公司申请的专利一种碳化硅陶瓷部件与素坯的连接方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117567168B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311625078.8，技术领域涉及：C04B37/00；该发明授权一种碳化硅陶瓷部件与素坯的连接方法是由范天扬;张昕;刘勋;宋运运设计研发完成，并于2023-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅陶瓷部件与素坯的连接方法在说明书摘要公布了：本发明属于反应烧结SiC陶瓷技术领域，公开了一种碳化硅陶瓷部件与素坯的连接方法。步骤为：将反应烧结碳化硅的缺陷部位机加出被补工件，利用SiC素坯补配加工出单自由度互补件，涂敷粘结剂，采用间隙配合的方式连接，然后施压干燥、打磨，将连接件中烧结体与充足的Si源接触，置于特定环境中烧结，处理后精加工得到SiC陶瓷部件。本发明通过素坯互补件间隙配合的方式控制精度和余量，利用毛细管力吸附SiC烧结体中游离Si进入、Si源不断补充烧结体的动力学原理，通过同质反应连接达到提高纯度和致密化的效果，使烧结体和素坯的连接成为现实，提高了半导体装备用高纯SiC陶瓷部件的利用率，避免了重复制备工序，操作容易，过程简单。
本发明授权一种碳化硅陶瓷部件与素坯的连接方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅陶瓷部件与素坯的连接方法，其特征在于，步骤如下： S1：将碳化硅陶瓷部件的缺陷部位机加工，得到被补工件； S2：利用SiC素坯补配机加出单自由度互补件； S3：通过涂覆粘结剂将被补工件和单自由度互补件连接，得到连接件； S4：连接件经施压、干燥、打磨后与Si源接触再次烧结，清理后精加工得到合格的SiC陶瓷部件产品；其中，与Si源接触指的是Si源只与连接件中烧结体部分接触，不与连接件中的素坯或连接层接触；再次烧结的条件为：真空环境中，1470-1570℃的温度下烧结1-3h，当温度至1400℃时，增大炉内气压，使气压高于Si烧结温度的饱和蒸气压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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