武汉理工大学徐晓虹获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利用于封装储能PCM的储热陶瓷、复合储热材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117720336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311641698.0，技术领域涉及：C04B35/10；该发明授权用于封装储能PCM的储热陶瓷、复合储热材料及制备方法是由徐晓虹;申亚强;吴建锋设计研发完成，并于2023-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于封装储能PCM的储热陶瓷、复合储热材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于封装储能PCM的储热陶瓷、复合储热材料及制备方法，储热陶瓷具有用于封装相变材料的蜂窝孔；储热陶瓷的原料包括基础粉料以及占基础粉料总质量的5～10％的外加剂；基础粉料包括75～96％的氧化铝以及4～25％的高岭土；外加剂是镁源、钇源通过火焰喷雾热解法制备的具有核壳状结构的微纳米级氧化镁‑氧化钇复相粉体。本发明采用具有核壳状结构的氧化钇‑氧化镁粉体，促进陶瓷基体的致密化，提升封装基体的热导率；同时本发明陶瓷封装基体具有高储热密度、高热导率、以及长期抗热震性能好的优点，封装相变材料所得的储热陶瓷具有使用温度范围宽，且能够满足多级温区储热放热的优点。
本发明授权用于封装储能PCM的储热陶瓷、复合储热材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于封装储能PCM的储热陶瓷，其特征在于，所述储热陶瓷具有用于封装相变材料的蜂窝孔；所述储热陶瓷的原料包括基础粉料以及占基础粉料总质量的5～10%的外加剂；其中，按质量百分数计，基础粉料包括75～96%的氧化铝以及4～25%的高岭土； 所述外加剂是将镁源、钇源加入溶剂中制得前驱体溶液，再通过火焰喷雾热解法制备得到的具有核壳状结构的微纳米级氧化镁-氧化钇复相粉体； 所述储热陶瓷的主晶相为刚玉，次晶相为莫来石。
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