桂林电子科技大学李琦获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利具有反向倾斜介质槽的功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117276319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311476740.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有反向倾斜介质槽的功率器件是由李琦;管理;陈永和;翟江辉;李海鸥;崔现文;程识;叶健;李佩;牛玉龙设计研发完成，并于2023-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有反向倾斜介质槽的功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有反向倾斜介质槽的功率器件，在有源区增设反向倾斜的介质槽。反向倾斜介质槽阻挡载流子的沿表面向源极运动，载流子只能向漏极外侧向下运动，在有源层底部方向折回向源极运动，形成折叠型耐压路径，显著提高器件的有效横向耐压长度，能解决减小器件表面长度、提高耐压的技术难题；反向倾斜介质槽可以在传统功率器件结构的基础上，结合硅片倾斜深槽刻蚀和介质填充形成，该工艺步骤完全与CMOSSOI工艺兼容，工艺简单。此外，还在介质槽外形成的反型的掺杂层，可以改善体电场分布，降低介质槽拐角电场集中的现象，特别适合于高耐压功率器件的设计。
本发明授权具有反向倾斜介质槽的功率器件在权利要求书中公布了：1.具有反向倾斜介质槽的功率器件，该功率器件为SOILDMOS功率器件，包括衬底层1、介质埋层2、有源层3、沟道区4、源区5、漏区6、栅极7、源极8和漏极9；介质埋层2位于衬底层1的上方，有源区5位于介质埋层2的上方；有源区5的左侧上部嵌有沟道区4，沟道区4的左侧上部嵌有源区5，有源区5的右侧上部嵌有漏区6；栅极7位于沟道区4的上方，并与源区5、沟道区4和有源区5实现连接；源极8位于源区5的上方，并与源极8实现连接；漏极9位于漏区6上方，并与漏区6实现连接；其特征在于：还包括由半导体介质材料所形成的介质槽10；介质槽10反向倾斜设置在有源区5的中部；介质槽10的上端位于沟道区4和漏区6之间，且介质槽10的上端面与有源区5的上表面相平；介质槽10的下端向漏区6方向倾斜，且介质槽10的下端面高于有源区5的下表面。
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