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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种Micro LED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117317087B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311455942.4，技术领域涉及：H10H20/818；该发明授权一种Micro LED器件及其制备方法是由王阳设计研发完成，并于2023-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro LED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MicroLED器件及其制备方法，所述MicroLED器件包括衬底以及设置在所述衬底上的发光结构，所述衬底的上表面具有第一极性区域、第二极性区域以及第一极性交界区域；所述发光结构包括依次层叠设置的发光层、电子阻挡层和p型半导体层；所述发光结构设置在第一极性交界区域，所述第一极性交界区域为第一极性区域与第二极性区域之间的交界区域，所述第一极性区域为具有第一极性的区域，所述第二极性区域为具有第二极性的区域。本发明在衬底上划分出两种不同极性的区域，同时外延生长LED器件，利用两种极性的边界区域制备MicroLED，缓解了QCSE，提高了器件的发光效率。

本发明授权一种Micro LED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MicroLED器件，其特征在于，所述MicroLED器件包括衬底以及设置在所述衬底上的发光结构，所述衬底的上表面具有第一极性区域、第二极性区域以及第一极性交界区域； 所述发光结构包括依次层叠设置的发光层、电子阻挡层和p型半导体层；所述发光结构设置在所述第一极性交界区域，所述第一极性交界区域为所述第一极性区域与所述第二极性区域之间的交界区域，所述第一极性区域为具有第一极性的区域，所述第二极性区域为具有第二极性的区域； 所述第一极性区域为氮极性区域，所述第二极性区域为镓极性区域； 所述MicroLED器件还包括缓冲层，所述缓冲层所在的区域包括具有所述第一极性的第一区域、具有所述第二极性的第二区域和第二极性交界区域，所述第二极性交界区域位于所述第一区域与所述第二区域之间，所述发光结构设置在所述第二极性交界区域上； 所述缓冲层包括第一缓冲层与第二缓冲层，所述第一缓冲层覆盖所述衬底的一部分，所述第二缓冲层覆盖所述第一缓冲层以及所述衬底的剩余部分； 所述第二缓冲层包括第一子缓冲层至第三子缓冲层，所述第一子缓冲层设置在所述第一区域，第二子缓冲层设置在所述第二极性交界区域，所述第三子缓冲层设置在所述第二区域，所述发光结构设置在所述第二子缓冲层上。

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