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龙图腾网获悉胜科纳米(苏州)股份有限公司申请的专利一种封装芯片的三维截面样品及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117476490B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311431857.4，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种封装芯片的三维截面样品及其制备方法是由刘媛媛;张林华;华佑南;施志洋;孙杰;陈超;罗晓丹;李晓旻设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种封装芯片的三维截面样品及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种封装芯片的三维截面样品及其制备方法。该三维截面样品制备方法包括：对待测封装芯片进行扫描分析，确定所述待测封装芯片是否存在异常区域；若是，根据所述异常区域的设置位置确定研磨位置以对所述待测封装芯片进行研磨和抛光，以得到第一截面样品；采用聚焦离子束对所述第一截面样品的目标分析区域进行预设厚度的离子束刻蚀，以在所述封装芯片内部形成探测空间，制备得到三维截面样品；所述目标分析区域包括所述异常区域。通过上述三维截面样品制备方法可得到一种三维截面样品，该三维截面样品可不受研磨的影响，有利于实现对封装芯片中微裂缝缺陷的精确分析。

本发明授权一种封装芯片的三维截面样品及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种封装芯片的三维截面样品制备方法，其特征在于，包括： 对待测封装芯片进行扫描分析，确定所述待测封装芯片是否存在异常区域； 若是，根据所述异常区域的设置位置确定研磨位置以对所述待测封装芯片进行研磨和抛光，以得到第一截面样品； 采用聚焦离子束对所述第一截面样品的目标分析区域进行预设厚度的离子束刻蚀，以在所述待测封装芯片内部形成探测空间，制备得到三维截面样品，进而对所述探测空间内部进行检测分析，实现对所述封装芯片中微裂缝缺陷的分析；所述目标分析区域包括所述异常区域； 采用聚焦离子束对所述第一截面样品的预设区域进行预设厚度的离子束刻蚀，以在所述待测封装芯片内部形成探测空间，包括： 在所述目标分析区域的表面沉积一层导电层，以使所述目标分析区域具有导电性； 对所述目标分析区域进行离子束切割，所述离子束出射的方向与所述第一截面样品的截面相交，所述离子束出射的方向与所述第一截面样品的截面垂直； 根据所述异常区域的设置位置确定研磨位置以对所述待测封装芯片进行研磨和抛光，包括： 对所述待测封装芯片进行封胶； 对封胶后的所述待测封装芯片依次进行第一研磨工序、第二研磨工序和第三研磨工序；所述第一研磨工序中所述研磨砂纸的目数小于所述第二研磨工序中所述研磨砂纸的目数，所述第二研磨工序中所述研磨砂纸的目数小于所述第三研磨工序中所述研磨砂纸的目数； 对所述待测封装芯片进行抛光； 对所述待测封装芯片进行封胶，包括： 用胶覆盖所述待测封装芯片，并对所述胶进行固化。

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