安世半导体科技(上海)有限公司;安世有限公司Y·松村获国家专利权
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龙图腾网获悉安世半导体科技(上海)有限公司;安世有限公司申请的专利参考电压电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117130423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311250316.1，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权参考电压电路是由Y·松村设计研发完成，并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本参考电压电路在说明书摘要公布了：一种参考电压生成电路，包括第一耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、第一增强型MOSFET、连接在第一耗尽型MOSFET和第一增强型MOSFET之间的参考电压输出、以及第二耗尽型MOSFET。
本发明授权参考电压电路在权利要求书中公布了：1.一种参考电压生成电路，包括： 具有源极、漏极和栅极的第一耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管，并且 其中，所述第一耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极被配置成连接到电源电位，并且所述第一耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接到所述第一耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极； 具有源极、漏极和栅极的第一增强型金属氧化物半导体场效应晶体管，并且 其中，所述第一增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接到所述第一耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极，所述第一增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接到所述第一增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极，并且所述第一增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极连接到第一参考电位； 参考电压输出，其连接在所述第一耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极和所述第一增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极之间；以及 具有源极、漏极和栅极的第二耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管， 其中，所述第二耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极连接在所述电源电位与所述第一耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极之间，并且所述第二耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极连接在所述第一耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与所述第一增强型金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极之间，并且 其中，所述第二耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接到第二参考电位。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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