中国科学院上海微系统与信息技术研究所张加祥获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种基于应力调控的片上双碳化硅色心HOM干涉装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117008252B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310838941.1，技术领域涉及：G02B6/13；该发明授权一种基于应力调控的片上双碳化硅色心HOM干涉装置是由张加祥;秦源浩;欧欣;伊艾伦;朱一帆设计研发完成，并于2023-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于应力调控的片上双碳化硅色心HOM干涉装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于应力调控的片上双碳化硅色心HOM干涉装置，使用本装置可以实现一个完全单片式SiC光子电路，通过单模脊形波导将两个频率匹配的色心单光子源连接到芯片上的分束器，使得在芯片上进行双光子干涉实验成为可能。
本发明授权一种基于应力调控的片上双碳化硅色心HOM干涉装置在权利要求书中公布了：1.一种基于应力调控的片上双碳化硅色心HOM干涉装置，其特征在于，所述装置包括：压电材料，所述压电材料设有水平沟槽，并且沟槽的延长线通过压电材料中心；所述压电材料上设有MMI，其中MMI包括第一波导和第二波导，其中第一波导包括第一部分和第二部分，所述第一波导的第一部分和第二部分上设有色心；所述压电材料上还设有金属电极，包括第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极延水平沟槽对称；其中所述第一波导的第一部分、第二部分分别位于水平沟槽两侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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