北京大学魏进获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116682858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310777290.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及其制备方法是由魏进;刘思航设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及其制备方法。所述器件由两种元胞结构交替排列构成，其中结构一为传统的栅极下方为P型屏蔽层的碳化硅沟槽栅MOSFET结构，而结构二利用选择性倾斜离子注入，在栅极沟槽侧下方形成连接栅极侧面的P型基区和栅极下方的P型屏蔽层的P型连接区，以实现P型屏蔽层的有效接地，使P型屏蔽层屏蔽效果更好。进一步的，在P型连接区内侧额外增加用于连接沟道的N型连接区，使源区的电子经过基区沟道后，可以通过N型连接区沿两种结构交替排列方向流动到JFET区，增加有效的沟道密度，降低了器件的导通电阻。
本发明授权一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件，由两种元胞结构交替排列构成，其中结构一为传统的栅极下方为P型屏蔽层的碳化硅沟槽栅MOSFET结构，结构二具有通过选择性倾斜离子注入在栅极沟槽侧下方形成的P型连接区，该P型连接区将位于栅极下方的P型屏蔽层和位于栅极侧面的P型基区相连，以实现P型屏蔽层的接地；其特征在于，交替排列的两种元胞结构都包括N型重掺杂碳化硅衬底，以及在衬底上依次外延生长的N型轻掺杂漂移区和N型掺杂的JEFT区，栅极位于JFET区中间经过刻蚀后形成的栅极沟槽中，栅极周围是栅介质层，栅极下方是P型屏蔽层；JFET区上方位于栅极两侧的是P型基区；P型基区内侧上方挨着栅介质层的位置具有N型重掺杂源区；源极位于栅介质层、N型重掺杂源区和P型基区之上；漏极位于衬底背面；结构二相比于结构一还包括：在栅极沟槽下部的侧壁具有连接P型基区沟道的N型连接区，N型连接区的侧下方具有连接P型基区和P型屏蔽层的P型连接区。
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