深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司陈淳才获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司申请的专利一种基于PECVD的薄膜沉积方法以及太阳能电池的薄膜沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116875962B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310697791.7，技术领域涉及：C23C16/505；该发明授权一种基于PECVD的薄膜沉积方法以及太阳能电池的薄膜沉积方法是由陈淳才;王晨光;陈帅设计研发完成，并于2023-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于PECVD的薄膜沉积方法以及太阳能电池的薄膜沉积方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于PECVD的薄膜沉积方法以及太阳能电池的薄膜沉积方法。根据本发明的基于PECVD的薄膜沉积方法，对基材的表面进行沉积镀膜，包括如下步骤：将所述基材置于镀膜腔中；对所述镀膜腔进行抽真空；往所述镀膜腔中通入工艺气体；使射频电源以不同的脉冲比交替地进行输出；在所述脉冲比当中，至少包括第一脉冲比以及第二脉冲比，所述第二脉冲比比所述第一脉冲比大，所述射频电源以所述第一脉冲比以及所述第二脉冲比交替地进行输出。根据本发明的基于PECVD的薄膜沉积方法，能够在一定程度上兼具薄膜的膜厚均匀性以及缩短工艺时间两者。
本发明授权一种基于PECVD的薄膜沉积方法以及太阳能电池的薄膜沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种基于PECVD的薄膜沉积方法，对基材的表面进行沉积镀膜，其特征在于，包括如下步骤： 将所述基材置于镀膜腔中； 对所述镀膜腔进行抽真空； 往所述镀膜腔中通入工艺气体； 使射频电源以不同的脉冲比交替地进行输出； 在所述脉冲比当中，至少包括第一脉冲比以及第二脉冲比，所述第二脉冲比比所述第一脉冲比大，所述射频电源以所述第一脉冲比以及所述第二脉冲比交替地进行输出； 所述第一脉冲比的范围为1:25以上且1:15以下，所述第二脉冲比的范围为1:12.5以上且1:7.5以下。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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