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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种高填充因子的MEMS微镜及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116953917B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310694434.5，技术领域涉及：G02B26/08；该发明授权一种高填充因子的MEMS微镜及制造方法是由程正喜;徐鹤靓;陈永平;马斌设计研发完成，并于2023-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高填充因子的MEMS微镜及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高填充因子的MEMS微镜及制造方法，微镜包括设于衬底上的微桥结构，微桥结构包括支撑及电连接柱和微桥桥面；微桥桥面上设有微镜镜面，微镜镜面通过支撑及电连接柱电连接衬底；支撑及电连接柱形成于第一沟槽中，第一沟槽设于第一牺牲层中，第一牺牲层位于衬底与微桥桥面之间，支撑及电连接柱包括形成于第一沟槽的部分侧壁表面上的导电体和位于导电体内侧的支撑体，微镜镜面通过导电体电连接衬底，微桥桥面支撑于支撑体和导电体上；微桥结构通过去除第一牺牲层得以释放。本发明能够减小所形成的支撑及电连接柱在微镜中的占用面积，由此使得微镜镜面的面积得到有效的增加，从而能大幅度提升填充因子和产品的性能。

本发明授权一种高填充因子的MEMS微镜及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高填充因子的MEMS微镜，其特征在于，包括： 设于衬底上的微桥结构，所述微桥结构包括支撑及电连接柱，和支撑于所述支撑及电连接柱上的微桥桥面；所述微桥桥面上设有微镜镜面，所述微镜镜面通过所述支撑及电连接柱电连接所述衬底； 其中，所述支撑及电连接柱形成于第一沟槽中，所述第一沟槽设于第一牺牲层中，所述第一牺牲层位于所述衬底与所述微桥桥面之间，所述支撑及电连接柱包括形成于所述第一沟槽的部分侧壁表面上的导电体和位于所述导电体内侧的支撑体，所述微镜镜面通过所述导电体电连接所述衬底，所述微桥桥面支撑于所述支撑体和所述导电体上；所述微桥结构通过去除所述第一牺牲层得以释放； 所述导电体的下端还延伸至所述第一沟槽的部分底面上，形成L形弯折结构，并通过所述L形弯折结构的水平部电连接至所述衬底，所述支撑体设于所述L形弯折结构的内侧，并位于所述L形弯折结构的水平部上； 所述衬底的表面上设有金属电连接结构，所述金属电连接结构电连接所述衬底，所述支撑及电连接柱设于所述金属电连接结构上，且所述L形弯折结构的水平部接触位于所述金属电连接结构上； 所述支撑及电连接柱为两个，且并列设于所述衬底上，导电扭臂架设于两个所述支撑及电连接柱的顶端之间，所述微桥桥面连接在所述扭臂上，并得到支撑，所述微镜镜面通过所述扭臂、所述支撑及电连接柱电连接所述衬底。

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