西安理工大学王凤娟获国家专利权
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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利基于TSV的双频段的功分器巴伦获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116613499B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310629942.5，技术领域涉及：H01P5/16；该发明授权基于TSV的双频段的功分器巴伦是由王凤娟;张定熙;余宁梅;杨媛;尹湘坤;朱樟明设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于TSV的双频段的功分器巴伦在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于TSV的双频段的功分器巴伦，包括从上至下依次设置的上RDL二氧化硅隔离层、硅衬底及下RDL二氧化硅隔离层，下RDL二氧化硅隔离层内设置有RDL耦合器，RDL耦合器通过连接功分器输出与耦合器输入的TSV连接两个对称设置的功分器输入电容，每个功分器输入电容分别并联连接一组TSV互感电感和一个功分器GND连接电容，互感电感与功分器输入电容均连接输入信号抽头。该功分器巴伦结构在双频工作条件下减少了巴伦面积并具有更高的集成度。
本发明授权基于TSV的双频段的功分器巴伦在权利要求书中公布了：1.基于TSV的双频段的功分器巴伦，其特征在于：包括从上至下依次设置的上RDL二氧化硅隔离层（18）、硅衬底（10）及下RDL二氧化硅隔离层（11），下RDL二氧化硅隔离层（11）内设置有RDL耦合器，所述RDL耦合器通过连接功分器输出与耦合器输入的TSV（15）连接两个对称设置的功分器输入电容（2），每个功分器输入电容（2）分别并联连接一组TSV互感电感和一个功分器GND连接电容（8），所述TSV互感电感与功分器输入电容（2）均连接输入信号抽头（3）； 每组所述TSV互感电感包括两个串联连接的螺旋状TSV电感，两个TSV电感串联后与功分器GND连接电容（8）并联，功分器GND连接电容（8）连接位于上RDL二氧化硅隔离层（18）的GND（4），位于上RDL二氧化硅隔离层（18）的GND（4）通过连接上下GND的TSV（14）连接位于下RDL二氧化硅隔离层（11）内的GND（4）。
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