四川能投川化新材料科技有限公司刘雪宇获国家专利权
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龙图腾网获悉四川能投川化新材料科技有限公司申请的专利低介电聚芳醚腈复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116814061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310598369.6，技术领域涉及：C08L71/10；该发明授权低介电聚芳醚腈复合材料及其制备方法是由刘雪宇;谭又宁;李梁萌;刘江设计研发完成，并于2023-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本低介电聚芳醚腈复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及低介电聚芳醚腈复合材料及其制备方法，属于高分子介电材料技术领域。本发明解决的技术问题是提供一种工艺可控性好的低介电聚芳醚腈复合材料的制备方法。该方法通过引入中空玻璃微珠，并对其表面进行有机化改性处理，获得了具有核壳结构的功能化填料；将电负性较强的三氟甲基基团引入聚芳醚腈中，制备出聚芳醚腈复合材料。该材料不仅具有较低的介电常数和介电损耗，还表现出良好的热力学性能，填料与基体树脂之间的相容性和分散性较好，制备的复合材料具有更好的力学性能，可用于5G通信技术领域，进一步拓展其在电子材料领域的用途。且本发明方法简单可控，适用于工业化大生产。
本发明授权低介电聚芳醚腈复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.低介电聚芳醚腈复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： a、制备C-FPEN@HGB填料：HGB的乙醇分散液与C-FPEN树脂溶液混合，40～60℃下搅拌反应4～8h，然后经过溶剂回收、洗涤干燥，得到C-FPEN@HGB填料，所述C-FPEN树脂为含羧基的氟化聚芳醚腈树脂；所述HGB为中空玻璃微珠； b、制备低介电聚芳醚腈复合材料：C-FPEN@HGB填料、含氟聚芳醚腈树脂和NMP溶剂混匀，得到复合溶液；将复合溶液倒入水中沉淀，将沉淀洗涤、干燥，得到低介电聚芳醚腈复合材料。
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