中国科学技术大学高徽徽获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种硒硫化锑薄膜后硫化的方法及其制得的硒硫化锑薄膜和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116535104B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310569022.9，技术领域涉及：C03C17/22；该发明授权一种硒硫化锑薄膜后硫化的方法及其制得的硒硫化锑薄膜和应用是由高徽徽;黄玉茜;唐荣风;陈涛设计研发完成，并于2023-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硒硫化锑薄膜后硫化的方法及其制得的硒硫化锑薄膜和应用在说明书摘要公布了：本发明属于硒硫化锑纳米材料技术领域，公开了一种硒硫化锑薄膜后硫化的方法及其制得的硒硫化锑薄膜和应用。本发明所述方法包括：将硫化钠溶液与硒硫化锑薄膜放置在同一密闭环境中，将硒硫化锑薄膜置于支撑结构上，硒硫化锑薄膜位于硫化钠溶液上方且不与硫化钠溶液接触，对密闭环境升温，进行蒸汽处理，洗涤、干燥，得到后硫化的硒硫化锑薄膜；所述硒硫化锑薄膜由水热法制备得到。本发明所述方法安全无毒，原料成本低廉，反应温度低且操作工艺简单，减少了薄膜内部硫空位的产生，提高了硒硫化锑薄膜的光电性能，将硫化后的硒硫化锑薄膜组装成太阳能电池，光电转换效率可达9.16％。
本发明授权一种硒硫化锑薄膜后硫化的方法及其制得的硒硫化锑薄膜和应用在权利要求书中公布了：1.一种硒硫化锑薄膜后硫化的方法，其特征在于，包括以下步骤： 将硫化钠溶液与硒硫化锑薄膜放置在同一密闭环境中，将硒硫化锑薄膜置于支撑结构上，硒硫化锑薄膜位于硫化钠溶液上方且不与硫化钠溶液接触，对密闭环境升温，进行蒸汽处理，然后洗涤、干燥，得到后硫化的硒硫化锑薄膜； 其中，所述硒硫化锑薄膜由水热法制备得到； 所述硫化钠溶液中硫化钠的质量浓度为15~50mgmL； 所述升温的速率为4~10℃min，所述蒸汽处理的温度为100~180℃，所述蒸汽处理的时间为60~300min。
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