无锡金源半导体科技有限公司李镐赞获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡金源半导体科技有限公司申请的专利一种喷淋组件及薄膜沉积装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116516319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310547454.X，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种喷淋组件及薄膜沉积装置是由李镐赞设计研发完成，并于2023-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种喷淋组件及薄膜沉积装置在说明书摘要公布了：本公开的喷淋组件和薄膜沉积装置，包括上盖板、引流部、喷淋部以及加热器；所述上盖板的中央具有第一进气通道；所述引流部与所述上盖板共同限定形成预热气流路径，所述引流部底部的中央设有第二进气通道，所述加热器位于所述引流部内，且围绕所述第二进气通道设置；所述预热气流路径位于所述加热器与上盖板之间，且连通所述第一进气通道和所述第二进气通道，适于预热从所述第一进气通道至第二进气通道的反应气体。在第二进气通道上方设置预热气流路径，可以在反应气体从第二进气通道排出之前，提前进行预热，使反应气体后续喷淋至薄膜沉积装置的反应腔体时，减少反应气体温度不均匀的情况，提高了薄膜的沉积均匀性。
本发明授权一种喷淋组件及薄膜沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种喷淋组件，其特征在于，包括：上盖板1、引流部4、喷淋部2以及加热器3； 所述上盖板1的中央具有第一进气通道12； 所述引流部4位于所述上盖板1和所述喷淋部2之间，与所述上盖板1共同限定形成预热气流路径5，所述引流部4的中央设有适于让反应气体通过至喷淋部2的第二进气通道41，所述加热器3位于所述引流部4内，且围绕所述第二进气通道41设置； 所述预热气流路径5位于所述加热器3与上盖板1之间，且连通所述第一进气通道12和所述第二进气通道41，适于预热从所述第一进气通道12至第二进气通道41的反应气体。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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