北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司李明山获国家专利权
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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利一种端面耦合器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116520491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310524329.7，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权一种端面耦合器结构及其形成方法是由李明山;高颖设计研发完成，并于2023-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种端面耦合器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种端面耦合器结构及其形成方法，所述端面耦合器结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、埋氧层和顶硅层，所述顶硅层中形成有硅波导结构，所述硅波导结构被包覆层包覆，所述包覆层中包括第一折射率调制区和第二折射率调制区；所述第一折射率调制区中形成有若干与所述硅波导结构的边缘间距相等的第一折射率调制结构，所述第二折射率调制区中形成有若干密度从硅波导结构向远离硅波导结构方向逐渐减小的第二折射率调制结构，所述第一折射率调制结构和第二折射率调制结构的折射率大于所述包覆层的折射率小于所述硅波导结构的折射率。本申请提供一种端面耦合器结构及其形成方法，可以提高端面耦合器的性能，降低耦合损耗。
本发明授权一种端面耦合器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种端面耦合器结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、埋氧层和顶硅层，所述顶硅层中形成有硅波导结构，所述硅波导结构的宽度沿所述硅波导结构的入射端向所述硅波导结构的延伸方向逐渐增大，所述硅波导结构被包覆层包覆，所述包覆层中包括第一折射率调制区和第二折射率调制区，所述第一折射率调制区从所述入射端向所述硅波导结构的延伸方向延伸，所述第二折射率调制区邻接所述第一折射率调制区且向所述硅波导结构的延伸方向的反方向延伸； 在所述第一折射率调制区中形成若干与所述硅波导结构的边缘间距相等的第一折射率调制结构，以及在所述第二折射率调制区中形成若干密度从所述入射端向远离所述入射端方向逐渐减小的第二折射率调制结构，所述第一折射率调制结构和第二折射率调制结构的折射率大于所述包覆层的折射率小于所述硅波导结构的折射率。
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