江西兆驰半导体有限公司罗钢铁获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种ITO薄膜及制备方法、LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310308231.8，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种ITO薄膜及制备方法、LED芯片是由罗钢铁;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种ITO薄膜及制备方法、LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种ITO薄膜及制备方法、LED芯片，通过将ITO靶材通过电子束蒸发制备ITO气相反应物，再将金属基底材料和ITO气相反应物在预设温度下加热，形成金属液滴，并控制金属液滴在预设通氧量和预设ITO靶材蒸发速率下析出，以形成相互连通的纳米结构的ITO薄膜，具体的，通过纳米尺度对全内反射光散射瑞利散射加以调控，表面纳米结构的ITO薄膜在LED中应用，能通过纳米尺寸空间折射率变化引起光全内反射变化，从而提高光提取效率。
本发明授权一种ITO薄膜及制备方法、LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种ITO薄膜制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一ITO靶材，并将所述ITO靶材通过电子束蒸发制备ITO气相反应物，首先将所述ITO靶材放入电子束蒸发设备中，进行抽真空处理，然后控制电子束轰击所述ITO靶材，并控制蒸发温度为280℃~300℃，以得到所述ITO气相反应物，所述ITO靶材为InSn氧化物； 提供一金属基底材料，并将所述金属基底材料和所述ITO气相反应物在预设温度下加热，形成金属液滴，所述金属基底材料为Au、Ni或Fe中的一种，所述预设温度为290℃~310℃； 控制所述金属液滴在预设通氧量和预设ITO靶材蒸发速率下析出，以形成纳米结构的ITO薄膜，首先控制通氧量为0sccm，所述ITO靶材的蒸发速率为0.9ÅS~1.1ÅS，以析出厚度为50nm~100nm的第一ITO薄膜，后控制通氧量为9sccm~11sccm，所述ITO靶材的蒸发速率为0.9ÅS~1.1ÅS，以析出厚度为150nm~200nm的第二ITO薄膜，其中，所述ITO薄膜由所述第一ITO薄膜和所述第二ITO薄膜构成。
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