中国科学院上海微系统与信息技术研究所佘小娟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种片外光发射器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116609879B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310267916.2，技术领域涉及：G02B6/124；该发明授权一种片外光发射器件是由佘小娟;赵瑛璇;廖涵;甘甫烷设计研发完成，并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种片外光发射器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种片外光发射器件，包括：衬底；下包层，位于所述衬底的上表面，且内部埋设有金属镜；波导层，位于所述下包层的上表面，包括波导和M级同心半圆光栅；上包层，位于所述波导层的上表面；所述波导用于引导光进入所述M级同心半圆光栅；所述金属镜用于将泄露到所述衬底的光反射至所述M级同心半圆光栅；所述M级同心半圆光栅用于将接收到的光向垂直方向发射；所述M级同心半圆光栅的前N级的狭缝的刻蚀深度小于后K级的狭缝的刻蚀深度，其中，M＝N+K，且N≤M2。本发明能够提高器件的发射效率。
本发明授权一种片外光发射器件在权利要求书中公布了：1.一种片外光发射器件，其特征在于，包括： 衬底； 下包层，位于所述衬底的上表面，且内部埋设有金属镜； 波导层，位于所述下包层的上表面，包括波导和M级同心半圆光栅； 上包层，位于所述波导层的上表面； 所述波导用于引导光进入所述M级同心半圆光栅；所述金属镜用于将泄露到所述衬底的光反射至所述M级同心半圆光栅；所述M级同心半圆光栅用于将接收到的光向垂直方向发射；所述M级同心半圆光栅的前N级的狭缝的刻蚀深度小于后K级的狭缝的刻蚀深度，其中，M＝N+K，且N≤M2； 所述波导层还包括窄波导结构，所述窄波导结构位于所述波导和M级同心半圆光栅之间，且与所述波导垂直；所述M级同心半圆光栅的第一级圆的半径为所述波导的宽度的一半。
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