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龙图腾网获悉马鞍山杰生半导体有限公司申请的专利提高p型空穴注入层空穴浓度的深紫外LED外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310257309.8，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权提高p型空穴注入层空穴浓度的深紫外LED外延结构是由曹一伟;杨天鹏;刘军林;吕全江;韩晓翠设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高p型空穴注入层空穴浓度的深紫外LED外延结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种提高p型空穴注入层空穴浓度的深紫外LED外延结构，包括衬底、AlN缓冲层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN多量子阱发光区、AlGaN电子阻挡层、超晶格界面量子点结构p型空穴注入层和p型GaN欧姆接触层；超晶格界面量子点结构p型空穴注入层包括多个周期的p型AlN超晶格垒层、GaN量子点层和p型AlGaN超晶格阱层；GaN量子点层包括多个GaN量子点；多个GaN量子点分布在p型AlN超晶格垒层和p型AlGaN超晶格阱层的交界面处。本发明可以有效的降低高Al组分的p型空穴注入层中Mg受主激活能，提高p型空穴注入层中的空穴浓度，从而提高器件的载流子注入效率。

本发明授权提高p型空穴注入层空穴浓度的深紫外LED外延结构在权利要求书中公布了：1.一种提高p型空穴注入层空穴浓度的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括衬底、AlN缓冲层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN多量子阱发光区、AlGaN电子阻挡层、超晶格界面量子点结构p型空穴注入层和p型GaN欧姆接触层； 所述AlN缓冲层生长在所述衬底上；所述n型掺杂AlGaN层生长在所述AlN缓冲层上；所述AlGaN多量子阱发光区生长在所述n型掺杂AlGaN层上；所述AlGaN电子阻挡层生长在所述AlGaN多量子阱发光区上；所述超晶格界面量子点结构p型空穴注入层生长在所述AlGaN电子阻挡层上；所述p型GaN欧姆接触层生长在所述超晶格界面量子点结构p型空穴注入层上； 所述AlGaN多量子阱发光区为量子阱层与量子垒层交替堆叠形成的周期性多量子阱结构； 所述超晶格界面量子点结构p型空穴注入层包括多个周期的超晶格界面量子点结构；所述超晶格界面量子点结构自下而上依次包括p型AlN超晶格垒层、GaN量子点层和p型AlGaN超晶格阱层；所述GaN量子点层包括多个GaN量子点；多个所述GaN量子点分布在所述p型AlN超晶格垒层和所述p型AlGaN超晶格阱层的交界面处，所述GaN量子点部分埋入所述p型AlN超晶格垒层中。

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