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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116317541B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310253043.X，技术领域涉及：H02M3/07；该发明授权一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路是由陈万军;程峥;罗攀;孙瑞泽;张波设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路在说明书摘要公布了：本发明属于半导体功率集成技术领域，特别涉及一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路。本发明包括直流分压电路，脉冲信号产生电路，第一、第二电容充放电电路。直流分压电路用于将直流电压源根据负压隔离需要生成宽电源输入兼容的电压；脉冲信号产生电路用于产生与高压氮化镓器件开关同步的负压电路开关控制信号；第一、第二电容充放电电路用于在控制信号的作用下生成稳定的负向电压。本发明的用于负向隔离的全氮化镓集成负压生成电路能实现负向电压与高压氮化镓功率器件高频开关时的同步跟随，且能根据不同隔离场景在不同的直流电源下灵活生成所需要的稳定负向电压，并完全兼容P‑GaN栅增强型氮化镓功率集成工艺平台。

本发明授权一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路在权利要求书中公布了：1.一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路，用于高压GaN功率器件，其特征在于：包括分压电路、脉冲信号产生电路、第一电容充放电电路和第二电容充放电电路； 所述分压电路包括第一D-HEMT管和第一E-HEMT管；第一D-HEMT管的漏极接电源，其栅极和源极短接，其源极接第一E-HEMT管的栅极和漏极，第一E-HEMT管的源极接地，第一E-HEMT管的漏极为分压电路的输出端； 所述脉冲信号产生电路包括第二D-HEMT管和第二E-HEMT管；第二D-HEMT管的漏极接分压电路的输出端，第二D-HEMT管的栅极和源极短接后接第二E-HEMT管的漏极，第二E-HEMT管的栅极为负压生成电路的信号输入端，第二E-HEMT管的源极接地，第二E-HEMT管的漏极为脉冲信号产生电路的输出端； 所述第一电容充放电电路包括第一二极管D1和第一电容C1；第一二极管D1的阳极通过第一电容C1后接脉冲信号产生电路的输出端，第一二极管D1的阴极接地； 所述第二电容充放电电路包括第二二极管D2和第二电容C2；第二二极管D2的阴极接第一二极管D1的阳极，第二二极管D2的阳极接第二电容C2的一端，第二电容C2的另一端接地；第二电容C2的一端为负压生成电路的输出端； 所述的脉冲信号产生电路用于与高压GaN功率器件的开关同步产生负向电压生成信号，用于控制第一电容充放电电路和第二电容充放电电路生成稳定的负压。

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