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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利一种浮栅型分栅闪存器的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209271B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310231771.0，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种浮栅型分栅闪存器的制作方法是由张引桐;许昭昭设计研发完成，并于2023-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浮栅型分栅闪存器的制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种浮栅型分栅闪存器的制作方法，属于半导体器件及制造领域。该方法取消原本用以提高选择管阈值电压的P型注入，改为在形成选择栅介质层后，先沉积一部分选择栅多晶硅，随后在选择栅器件区进行P型自对准注入，在保证选择管的阈值电压基本保持不变的前提下，选择管下方衬底硅中的P型杂质含量和深度增加，浮栅下方LDD结附近的衬底硅中P型杂质含量降低，实现选择管下方衬底硅的势垒增高，同时浮栅下方衬底硅中碰撞电离强度基本保持不变，有效提高分栅浮栅闪存器件的可靠性。

本发明授权一种浮栅型分栅闪存器的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种浮栅型分栅闪存器的制作方法，其特征在于，包括： 步骤十一，在P型衬底上注入形成P型阱，所述P型阱上热氧化生长浮栅氧化，沉积形成多晶硅层和第一氮化硅层，进行STI工艺形成浅沟槽； 步骤十二，依次沉积多晶硅间ONO层、控制栅多晶硅层、厚氮化硅层，并刻蚀去除开口区域的厚氮化硅层； 步骤十三，沉积氧化硅层，并利用各向异性刻蚀形成第一侧墙介质层； 步骤十四，利用所述厚氮化硅层和所述第一侧墙介质层作为硬质掩膜，对所述多晶硅间ONO层和所述控制栅多晶硅层进行各向异性刻蚀，形成自对准的控制栅； 步骤十五，沉积绝缘介质层，并各向异性刻蚀形成第二侧墙介质层，利用所述第二侧墙介质层和所述第一侧墙介质层作为硬质掩膜，自对准刻蚀形成浮栅； 步骤十六，沉积选择栅介质层和沉积第一层选择栅多晶硅，利用所述第一层选择栅多晶硅、所述选择栅介质层、所述第二侧墙介质层、所述第一侧墙介质层和所述厚氮化硅层作为硬质掩膜，在选择管区域自对准注入形成P型注入区域； 步骤十七，沉积第二层选择栅多晶硅，并通过CMP方式形成自对准的选择栅； 步骤十八，所述第一层选择栅多晶硅和所述第二层选择栅多晶硅上热氧化形成保护用介质层，并利用所述保护用介质层、所述第一侧墙介质层和所述选择栅介质层作为硬质掩膜，将两侧剩余的厚氮化硅层、控制栅多晶硅层、多晶硅间ONO层、浮栅多晶硅层去除； 步骤十九，依次进行轻掺杂漏离子注入形成LDD区、第三侧墙形成和源漏重掺杂离子注入形成源漏区。

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