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龙图腾网获悉北京交通大学申请的专利一种可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116096117B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310188638.1，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权一种可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED及其制备方法是由赵谡玲;赵泽邦;乔泊;宋丹丹;徐征;梁志琴设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种可调颜色的无注入型多层量子点AC‑QLED及其制备方法，所述可调颜色的无注入型多层量子点AC‑QLED包括：透明基底以及依次位于所述透明基底一侧表面的绝缘层、空穴产生层、多层量子点薄膜体、电子产生层、绝缘层和电极；其中，所述多层量子点薄膜体由具有不同颜色的量子点膜层堆叠形成；所述无注入型多层量子点AC‑QLED通过控制交流电场的电压和频率实现颜色调节。本发明在传统AC‑QLED结构基础上，向AC‑QLED的绝缘层中间添加电子产生层和空穴产生层。在交流电场的驱动下，载流子从电子产生层和空穴产生层中产生并注入到量子点膜层中复合发光。相比传统的AC‑QLED而言，本发明提供的AC‑QLED器件内的载流子浓度大大提升，因此器件的发光效率得到了明显的提升。

本发明授权一种可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED，其特征在于，所述可调颜色的无注入型多层量子点AC-QLED包括： 透明基底以及依次位于所述透明基底一侧表面的绝缘层、空穴产生层、多层量子点薄膜体、电子产生层、绝缘层和电极； 其中，所述多层量子点薄膜体由具有不同颜色的量子点膜层堆叠形成；所述无注入型多层量子点AC-QLED通过控制交流电场的电压和频率实现颜色调节； 所述多层量子点薄膜体由以下方法制得： S2、将量子点溶液滴入溶剂B的表面，静置至量子点溶液中的溶剂A挥发，在溶剂B表面获得量子点膜层；所述量子点溶液由量子点材料溶解于溶剂A中得到； S3、将量子点膜层从溶剂B表面转移到执行了步骤S1的透明基底上，获得量子点薄膜，并在100℃条件下进行退火处理5min； S4、多次重复执行步骤S2和S3，获得多层量子点薄膜体； 多次重复执行步骤S2和S3具体包括：选择相同的量子点溶液重复执行步骤S2和S3，将量子点膜层加厚；或选择不同的量子点溶液重复执行步骤S2和S3，添加不同种类的量子点膜层； 所述转移包括：借助所述透明基底与所述量子点膜层的分子间作用力，将溶剂B表面的量子点薄膜压印转移到所述透明基底的空穴产生层之上； 所述溶剂A为辛烷与氯苯的混合溶剂，所述辛烷与氯苯的质量比为1：1；所述溶剂B为水。

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