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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利一种紫外发光二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116154052B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310078573.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种紫外发光二极管及其制作方法是由陈功;臧雅姝;陈剑斌;江宾;张中英;黄少华设计研发完成，并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紫外发光二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种紫外发光二极管及其制作方法，包括步骤：一、提供一个LED晶圆，该LED晶圆包含基板及位于基板上表面之上的半导体叠层，半导体叠层具有靠近基板一侧的下表面和相对的上表面，半导体叠层由下表面到上表面依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；二、提供多次照射的激光光束聚焦于基板内部，包含第一激光光束和第二激光光束，其中第一激光光束聚焦的位置相较于第二激光光束聚焦的位置更接近半导体叠层的下表面，第一激光光束聚焦在基板内部形成第一激光切割线，第一激光切割线的激光划痕为类圆形，第一激光切割线包括最接近半导体叠层的下表面的激光切割线；三、将该LED晶圆分离为若干个LED芯片。

本发明授权一种紫外发光二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外发光二极管的制作方法，包括步骤： 一、提供一个LED晶圆，该LED晶圆包含基板及位于所述基板上表面之上的半导体叠层，所述半导体叠层具有靠近所述基板一侧的下表面和相对的上表面，所述半导体叠层由所述下表面到所述上表面依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层； 二、提供多次照射的激光光束聚焦于所述基板内部，包含第一激光光束和第二激光光束，其中所述第一激光光束聚焦的位置相较于所述第二激光光束聚焦的位置更接近所述半导体叠层的下表面，所述第一激光光束聚焦在所述基板内部形成第一激光切割线，所述第一激光切割线的激光划痕为类圆形，所述类圆形具有长轴与短轴，所述类圆形的短轴与长轴的比值不大于1：1.5；所述第二激光光束聚焦在所述基板内部形成第二激光切割线，所述第二激光切割线的激光划痕为细条状，所述细条状具有长轴与短轴，所述细条状的短轴与长轴的比值大于1：1.5，所述第一激光切割线包括最接近所述半导体叠层的下表面的激光切割线； 三、将该LED晶圆分离为若干个LED芯片。

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