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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种高速锁存比较器及其偏置电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116032261B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310073517.2，技术领域涉及：H03K5/22；该发明授权一种高速锁存比较器及其偏置电路是由彭析竹;邹彦鑫设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高速锁存比较器及其偏置电路在说明书摘要公布了：本发明属于比较器技术领域，具体涉及一种高速锁存比较器及其偏置电路。本发明采用前置预放大器加锁存器的结构，并且在锁存器中引入了耦合电容从而增加晶体管的跨导，提高锁存器的速度。前置放大器的引入将输入信号和输出信号隔离，减小回踢噪声，同时可以提供一定的增益和带宽。本发明还设计了该比较器的偏置电路，通过偏置电路可以调节比较器的前置放大器和锁存器的电流，从而对比较器的速度和功耗进行控制。本发明可以运用在模数转换器特别是流水线型模数转换器中。

本发明授权一种高速锁存比较器及其偏置电路在权利要求书中公布了：1.一种高速锁存比较器及其偏置电路，其特征在于，包括前置放大器、锁存器、偏置电路；所述前置放大器设置于输入信号与锁存器之间，用于隔离输入信号与锁存器并进行信号放大；所述锁存器用于接收并比较前置放大器输出的放大信号；所述偏置电路用于给前置放大器提供偏置电压，同时调节前置放大器和锁存器的电流； 所述前置放大器包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5； 第一NMOS管MN1的栅极连接输入正信号，源极连接第五NMOS管MN5的漏极，第一NMOS管MN1的漏极为前置放大器的负信号输出端，第一NMOS管MN1的漏极连接第三NMOS管MN3的源极； 第二NMOS管MN2的栅极连接输入负信号，源极连接第五NMOS管MN5的漏极，第二NMOS管MN2的漏极为前置放大器的正信号输出端，第二NMOS管MN2的连接第四NMOS管MN4的源极； 第三NMOS管MN3的栅极连接第二偏置电压VB2，漏极连接第一电源VDD1； 第四NMOS管MN4的栅极连接第二偏置电压VB2，漏极连接第一电源VDD1； 第五NMOS管MN5的栅极连接第一偏置电压VB1，源极连接地。

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