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龙图腾网获悉沈阳理工大学申请的专利一种基于插值法的结晶器温度场快速确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115659717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211142009.7，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种基于插值法的结晶器温度场快速确定方法是由刘劲松;李旺;单朝瑞设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于插值法的结晶器温度场快速确定方法在说明书摘要公布了：一种基于插值法的结晶器温度场快速确定方法，测量结晶器截面数据，根据有限元模拟的温度场数据以及实际测验，总结出结晶器壁厚方向温度梯度；对结晶器截面中线的4个象限点预埋热电偶，并获取温度数值；通过分段正弦函数对中线温度进行插值，获得用以分段正弦函数曲线所表示中线的温度分布并利用计算机输出；在圆柱坐标系下采用插值法对分段正弦函数曲线进行拟合，获得该截面的温度场并利用计算机输出；利用同样方法，求出结晶器上另一截面的温度场，则可对两截面之间的面进行插值即可求出两截面之间的温度场。本发明的优点：能处理快速获得温度场需求的问题，实现了针对现场环境下也能快速计算温度场的方法，提高了工作效率。

本发明授权一种基于插值法的结晶器温度场快速确定方法在权利要求书中公布了：1.一种基于插值法的结晶器温度场快速确定方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤一：测量结晶器截面数据，根据有限元模拟的温度场数据以及实际测验，总结出结晶器壁厚方向温度梯度； 步骤二：对结晶器截面中线的4个象限点预埋热电偶，并获取温度数值； 步骤三：通过分段正弦函数对中线温度进行插值，获得用以分段正弦函数曲线所表示中线的温度分布并利用计算机输出； 步骤四：在圆柱坐标系下采用插值法对分段正弦函数曲线进行拟合，获得该截面的温度场并利用计算机输出； 步骤五：利用同样方法，求出结晶器上另一截面的温度场，则可对两截面之间的面进行插值即可求出两截面之间的温度场； 所述的步骤一中的目标截面数据具体为：中线直径D，结晶器壁厚方向温度梯度GT；所述的步骤二中的象限点温度为热电偶所测数值Ti，其中i=1，2，3，4； 所述的步骤三中分段正弦函数的基础形式为： Ts=A*sinw*X+B+C Ai=0.5*absTi-Ti+1 Ci=0.5*Ti+Ti+1 w=2πL2 L=π*D Bi为表达式所求自变量，表达式为：Ai*sinw*Xi+Bi+Ci-Ti=0 式中：A为振幅，Ci为偏移量，B为初相，L2为周期，abs代表绝对值。

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