买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利一种集成型功率芯片的制备方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247004B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211640489.X，技术领域涉及：H01L21/77；该发明授权一种集成型功率芯片的制备方法及芯片是由吴龙江设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成型功率芯片的制备方法及芯片在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种集成型功率芯片的制备方法及芯片，通过在半导体衬底的正面生长N型外延层，然后在N型外延层表面的第一预设区域通过离子注入工艺形成中低压器件，然后在N型外延层的第二预设区域形成第二P型隔离层，然后通过形成电压信道层将第二P型隔离层划分为第一开关隔离区和第二开关隔离区，在电压信道层上形成N型连接区，并在N型连接区两侧形成第一源极掺杂层、第二源极掺杂层以及多个交替设置的P型掺杂结构和N型沟道结构，在P型掺杂结构上形成栅极层，从而在同一工艺流程中制备高压器件和中低压器件，经过适当的联机即可完成各种应用的拓扑结构，实现同时兼顾低成本与器件应用场景扩展的目的。

本发明授权一种集成型功率芯片的制备方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种集成型功率芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在半导体衬底的正面外延生长N型外延层； 在所述N型外延层表面的第一预设区域上注入P型掺杂离子形成第一P型隔离层，并在所述第一P型隔离层上形成P型离子注入区；其中，所述第一P型隔离层呈凹形，所述P型离子注入区位于所述第一P型隔离层的凹槽内； 在所述P型离子注入区上的第一器件区域形成N型漂移区，并在所述N型漂移区上形成P型阱区； 在所述P型离子注入区上的第二器件区域分别形成第一源极掺杂区和第一漏极掺杂区，并在所述P型阱区上形成第二漏极掺杂区，在所述N型漂移区上形成第二源极掺杂区；其中，所述第二源极掺杂区与所述P型阱区互不接触； 在所述P型离子注入区上形成电介质层； 在所述N型外延层表面的第二预设区域形成第二P型隔离层； 对所述第二P型隔离层的指定区域进行N型掺杂形成电压信道层，以将所述第二P型隔离层划分为第一开关隔离区和第二开关隔离区； 在所述电压信道层上形成N型连接区，并在所述N型连接区两侧形成第一源极掺杂层、第二源极掺杂层以及多个交替设置的P型掺杂结构和N型沟道结构；其中，所述第一源极掺杂层位于所述第一开关隔离区上，且通过所述N型沟道结构与所述N型连接区连接，所述第二源极掺杂层位于所述第二开关隔离区上，且通过所述N型沟道结构与所述N型连接区连接； 在所述电介质层上形成第一栅极层和第二栅极层，并在所述P型掺杂结构上形成第三栅极层，在所述半导体衬底的背面形成漏极金属层；其中，所述第三栅极层与所述N型沟道结构之间绝缘，所述第一栅极层位于所述第一源极掺杂区和所述第一漏极掺杂区的上方，所述第二栅极层位于所述P型阱区的上方； 在所述第一预设区域与所述第二预设区域之间形成浅槽隔离结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳天狼芯半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。