广州华星光电半导体显示技术有限公司吴伟获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利一种显示面板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116165817B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211611054.2，技术领域涉及：G02F1/1333；该发明授权一种显示面板及显示装置是由吴伟设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种显示面板及显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括对置基板、液晶层和阵列基板，液晶层设置于对置基板与阵列基板之间；阵列基板包括基底、第一无机膜层以及导电层，第一无机膜层设置于基底上，第一无机膜层的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6，导电层设置于基底上，导电层与第一无机膜层邻接；本申请在不变更阵列基板的膜层结构的基础上，通过设置导电层的材料包括氧化铟锡和掺杂材料，掺杂材料包括至少一种金属氧化物，金属氧化物中的金属元素选自第IIA族金属元素、第IIIA族金属元素、第IIB族金属元素、第IIIB族金属元素或镧系元素中的一种，从而降低导电层的折射率，进而提升了阵列基板的穿透率。
本发明授权一种显示面板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括对置基板、液晶层和阵列基板，所述液晶层设置于所述对置基板与所述阵列基板之间； 所述阵列基板包括： 基底； 第一无机膜层，设置于所述基底上，所述第一无机膜层的折射率大于或等于1.4，且小于或等于1.6； 导电层，设置于所述基底上，所述导电层与所述第一无机膜层邻接，所述导电层的折射率大于或等于1.13，且小于1.9，所述导电层的材料为三元氧化物或四元氧化物； 其中，所述三元氧化物的化学式为InxSnyAzO，其中，A为镁元素、钇元素、镓元素、锌元素、铝元素或镧系元素中的一种，x、y和z均大于0；所述四元氧化物的化学式为InxSnyAzBwO，其中，A为镁元素或锌元素中的一种，B为镓元素、钇元素、铝元素或镧元素中的一种，x、y、z和w均大于0。
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