武汉新芯集成电路制造有限公司程亚杰获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利半导体器件的制程方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211527649.X，技术领域涉及：H01L21/74；该发明授权半导体器件的制程方法及半导体器件是由程亚杰设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制程方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件的制程方法及半导体器件。该半导体器件的制程方法包括：提供半导体基材，其中，半导体基材包括半导体衬底；在半导体衬底内形成掺杂埋层；在掺杂埋层的界面上进行第一次外延生长以形成第一外延层；对掺杂埋层在半导体衬底和第一外延层进行氧化扩散；以及在半导体衬底上进行第二次外延生长以形成第二外延层；其中，第二外延层的沉积厚度相等。该制程方法通过两次外延生长，提前在掺杂埋层的界面上形成第一外延层，并通过第二次外延生长在半导体衬底上形成沉积厚度相等的第二外延层，从而精确地控制第二外延层的形貌，保证了第二外延层的均匀性，避免形成台阶，有效解决了因台阶高度影响后续工艺中曝光工艺窗口的问题。
本发明授权半导体器件的制程方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制程方法，其特征在于，包括： 提供半导体基材，其中，所述半导体基材包括半导体衬底和形成在所述半导体衬底上的垫氧层； 在所述半导体衬底内形成掺杂埋层； 在所述掺杂埋层的界面上进行第一次外延生长以形成第一外延层； 对所述掺杂埋层在所述半导体衬底和所述第一外延层进行氧化扩散，且在所述氧化扩散的过程中，所述第一外延层和所述垫氧层被氧化并形成氧化层； 去除所述氧化层；以及在所述半导体衬底上进行第二次外延生长以形成第二外延层； 其中，所述第二外延层的沉积厚度相等。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司，其通讯地址为：430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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