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龙图腾网获悉四川斯艾普电子科技有限公司申请的专利提高厚膜集成射频器件功率容量的方法及射频器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190243B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211420625.4，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权提高厚膜集成射频器件功率容量的方法及射频器件是由敬明礁;陈卓杰设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高厚膜集成射频器件功率容量的方法及射频器件在说明书摘要公布了：提高厚膜集成射频器件功率容量的方法及射频器件，方法包括：提供至少三个的陶瓷基板，在第1个陶瓷基板底面加工金属薄层和导体层，顶面加工加厚导体层，加厚导体层上设置大功率器件和小功率器件，在大功率器件上通过薄膜工艺印刷成薄膜介质层，在其余陶瓷基板底面加工导体层；在对应的陶瓷基板上加工大功率接地孔和小功率接地孔，在所有陶瓷基板上加工多个散热孔，散热孔分布于薄膜介质层周侧；叠合，并在最下方设置散热片；烧制成型，使小功率接地孔导通至第3个陶瓷基板顶面接地，使各大功率接地孔导通至第2个陶瓷基板顶面接地，使各散热孔连通散热片；散热孔内填充铜浆。在满足小尺寸设计的同时提高射频器件及射频系统的功率容量。

本发明授权提高厚膜集成射频器件功率容量的方法及射频器件在权利要求书中公布了：1.一种提高厚膜集成射频器件功率容量的方法，其特征在于，包括步骤： 提供至少三个拟按自上而下方式叠设的陶瓷基板（1），在第1个陶瓷基板（1）的底面加工形成金属薄层（3），并在金属薄层（3）上加工形成导体层（2），并在该陶瓷基板（1）顶面加工形成加厚导体层（10），在其余陶瓷基板（1）的底面加工形成导体层（2）； 在加厚导体层（10）上设置大功率器件（12）和小功率器件（13），并在大功率器件（12）上采用薄膜印刷工艺形成薄膜介质层（11），薄膜介质层（11）覆盖大功率器件（12）； 在第1个陶瓷基板（1）上贯通加工大功率接地孔（51），大功率接地孔（51）位于薄膜介质层（11）所在区域，在前2个陶瓷基板（1）上贯通加工小功率接地孔（52），在所有陶瓷基板（1）上加工多个散热孔（6），散热孔（6）分布于薄膜介质层（11）周侧；大功率器件（12）位置与大功率接地孔（51）位置对应，并使大功率器件（12）的接地端与大功率接地孔（51）连接，小功率器件（13）位置与小功率接地孔（52）位置对应，并使小功率器件（13）的接地端与小功率接地孔（52）连接； 将多个陶瓷基板（1）按照拟定顺序进行叠合，在最后1个陶瓷基板（1）下方叠设一散热片（4）； 烧制成型，使各小功率接地孔（52）对应导通并导通至第3个陶瓷基板（1）顶面形成接地，使各大功率接地孔（51）对应导通并导通至第2个陶瓷基板（1）顶面形成接地，并使各散热孔（6）对应连通并连通至散热片（4）； 在散热孔（6）内填充满铜浆，并固化铜浆。

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