杭州富芯半导体有限公司陶余超获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利具有ESD防护器件的半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763366B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211379287.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权具有ESD防护器件的半导体结构的制备方法是由陶余超设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有ESD防护器件的半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种具有ESD防护器件的半导体结构的制备方法，在半导体衬底上形成包括位于半导体衬底上的ESD栅极结构的ESD防护器件，而后形成覆盖半导体衬底及ESD防护器件的层间电介质结构，层间电介质结构包括采用沉积工艺及回流工艺形成的BPSG层，且BPSG层中B元素及P元素的重量百分比均大于4％，而后于层间电介质结构上形成图形化的光阻层，并刻蚀层间电介质结构形成接触孔。本申请制备的BPSG层具有良好的流动性，回流工艺后可有效减小ESD防护器件拐角区处层间电介质结构的斜率，从而可增加ESD防护器件拐角区处光阻层的厚度，降低蚀刻过程中层间电介质结构受损的风险。
本发明授权具有ESD防护器件的半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有ESD防护器件的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供半导体衬底100； 形成ESD防护器件，所述ESD防护器件包括位于所述半导体衬底100上的ESD栅极结构201； 形成覆盖所述半导体衬底100及所述ESD防护器件的层间电介质结构300，所述层间电介质结构300包括BPSG层，所述BPSG层采用沉积工艺及回流工艺形成，且所述BPSG层中B元素及P元素的重量百分比均大于4％； 于所述层间电介质结构300上形成光阻层400，并图形化所述光阻层400； 刻蚀所述层间电介质结构300形成接触孔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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