长春希达电子技术有限公司郑喜凤获国家专利权
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龙图腾网获悉长春希达电子技术有限公司申请的专利基于晶圆级的高精度低串扰度LED微阵列制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211368610.8，技术领域涉及：H10H29/24；该发明授权基于晶圆级的高精度低串扰度LED微阵列制备方法是由郑喜凤;王瑞光;陈宇;汪洋;张鑫设计研发完成，并于2022-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于晶圆级的高精度低串扰度LED微阵列制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于晶圆级的高精度低串扰度LED微阵列制备方法，该方法在衬底上依次制备缓冲层、光学敏感牺牲夹层和倒装LED半导体材料晶圆层，对晶圆层以及N型电极和P型电极进行分割并去除多余部分得到倒装LED芯片阵列，每个倒装LED芯片的两个电极均与基板上的一对键合柱位置对应；根据各倒装LED芯片两个电极的高度补偿调整固晶焊盘上键合柱的高度，使所有倒装LED芯片的电极与对应键合柱高度之和一致；利用激光束照射衬底使各倒装LED芯片脱落到基板上，最后将各倒装LED芯片电极与对应键合柱键合固定，完成单色LED微阵列的制备。本发明生成精度高，整个阵列的出光方向平整度高。
本发明授权基于晶圆级的高精度低串扰度LED微阵列制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于晶圆级的高精度低串扰度LED微阵列制备方法，其特征在于所述LED微阵列为单色LED微阵列，其制备方法如下： 在衬底上依次制备缓冲层、光学敏感牺牲夹层和单色倒装LED半导体材料晶圆层，最后对单色倒装LED半导体材料晶圆层以及N型电极和P型电极进行分割并去除多余单色倒装LED半导体晶圆层得到单色倒装LED芯片阵列，且每个单色倒装LED芯片的两个电极均与基板上的一对键合柱位置对应； 对各单色倒装LED芯片两个电极的高度进行检测，并根据检测结果补偿调整固晶焊盘上键合柱的高度，使所有单色倒装LED芯片的电极与对应键合柱高度之和一致； 将单色倒装LED芯片阵列朝下并使各单色倒装LED芯片的两个电极与对应的键合柱对准；利用激光束照射衬底使各单色倒装LED芯片脱落，最后将各单色倒装LED芯片电极与对应键合柱键合固定，完成单色LED微阵列的制备。
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