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龙图腾网获悉上海航天电子通讯设备研究所申请的专利一种使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211366827.5，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法是由刘凯;吴毓颖;何艳;赵树君;王盈莹;陈凯;王立春设计研发完成，并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法，包括：将铝合金基板作为底板；在所述铝合金基板上制作双面腔体掩膜，对所述基板进行一次非穿透性阳极氧化；通过选择性穿透铝阳极氧化和阳极氧化铝的各向异性刻蚀特性，制作结构功能一体化载板；在所述结构功能一体化载板的腔体内贴装芯片以及在所述载板表面布线；在所述载板表面制作重布线层；将载板一面用环氧塑封胶完全包封，另一面植球，形成系统级双面扇出型封装结构。本发明方法使用铝阳极氧化结构功能一体化载板，具有工艺流程简单、成本低，各向异性腐蚀加工腔体精度高，导热性好等特点，可提高芯片双面扇出型封装的精度、密度、支撑强度、散热能力和信号传输完整性。

本发明授权一种使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法在权利要求书中公布了：1.一种使用铝基板的系统级双面扇出型封装结构加工方法，其特征在于，包括如下步骤： S01：将铝合金基板作为底板； S02：在所述铝合金基板上制作双面腔体掩膜，对所述基板进行一次非穿透性阳极氧化； S03：通过选择性穿透铝阳极氧化，在制作同轴的垂直互连通，掩膜保护区域的铝形成垂直互连通，掩膜未保护区域的铝形成多孔氧化铝介质，双面腔体区域形成深度与芯片厚度匹配的多孔氧化铝介质，腔体之间有导热金属铝层，利用阳极氧化铝的各向异性刻蚀特性，制作双面腔体，形成结构功能一体化载板；双面腔体之间的导热金属铝层、具有电磁屏蔽功能的同轴垂直互连通柱，和双面对称的腔体，所述导热金属铝层将芯片产生的热量及时散发出去； S04：在所述结构功能一体化载板的腔体内贴装芯片以及在所述载板表面布线； S05：在所述载板表面制作重布线层，芯片与重布线层互连，重布线层之间通过所述同轴垂直互连通柱进行连接； S06：将载板一面用环氧塑封胶完全包封，另一面植球，形成系统级双面扇出型封装结构。

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