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龙图腾网获悉天津三安光电有限公司申请的专利一种垂直LED芯片结构及其制造方法及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458647B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211343672.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种垂直LED芯片结构及其制造方法及发光装置是由刘胜男;柯韦帆;刘佳玉;胡鹏杰;白潇设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直LED芯片结构及其制造方法及发光装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种垂直LED芯片结构及其制造方法及发光装置，在将外延结构键合至衬底之后，首先刻蚀外延结构形成第一台面，形成第一台面之后，在第一台面处继续刻蚀外延结构直至将外延结构刻穿暴露反射层，形成第二台面。第二台面的宽度小于第一台面的宽度，第一台面和第二台面具有高低差，该结构可有效降低大角度光在外延结构内的内部反射，降低对光的二次吸收，提升侧光出光率。在形成有第一台面和第二台面的结构表面形成保护层，该保护层在第二台面处覆盖裸露的反射层，对外延结构及反射层起到保护作用，能够保护外延结构的侧壁以及反射层不受衬底背面研磨后处理液的侵蚀，保证外延结构的完整度，提高芯片的可靠度。

本发明授权一种垂直LED芯片结构及其制造方法及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种垂直LED芯片结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 制备外延结构，所述外延结构包括依次叠置的第一导电类型的半导体层、发光层以及第二导电类型的半导体层； 提供一衬底，所述衬底具有正面和与正面相对的背面； 将所述外延结构键合至所述衬底的正面，其中所述第二导电类型的半导体层所在的一侧经键合层与所述衬底键合，所述键合层和所述第二导电类型的半导体层之间形成有反射层； 在切割区对应位置处对所述外延结构进行第一次刻蚀，以形成第一台面，暴露出所述第一导电类型的半导体层及发光层的侧壁，所述第一台面的表面为所述第二导电类型的半导体层； 在所述第一台面处对所述外延结构进行第二次刻蚀，形成第二台面，暴露出所述第二导电类型的半导体层的侧壁，所述第二台面的表面为所述反射层； 在所述第一台面的表面及侧壁、所述第二台面的表面及侧壁以及所述外延结构的表面形成保护层，在所述第二台面处，所述保护层覆盖所述反射层，与所述反射层形成连续结构； 向所述衬底的背面施加研磨液，对所述衬底的背面进行研磨减薄； 在所述衬底的背面形成背面电极，所述背面电极与所述第二导类型的半导体层电性连接。

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