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龙图腾网获悉广州安海半导体股份有限公司申请的专利沟槽型碳化硅MOSFET结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513280B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211350363.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权沟槽型碳化硅MOSFET结构及其制作方法是由黄昕;高洪波设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽型碳化硅MOSFET结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种沟槽型碳化硅MOSFET结构及其制作方法，所述沟槽型碳化硅MOSFET结构包括沟槽栅极区域，所述沟槽栅极区域包括：通过掺杂形成的至少一个第一PN结；通过掺杂形成的至少一个第二PN结，所述第二PN结与所述第一PN结并列且反向设置。本发明的沟槽型碳化硅MOSFET结构，通过形成反向设置的两个PN结，能降低碳化硅MOSFET结构的输入电容和输出电容。

本发明授权沟槽型碳化硅MOSFET结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型碳化硅MOSFET结构，其特征在于，包括沟槽栅极区域（20），所述沟槽栅极区域（20）包括： 通过掺杂形成的至少一个第一PN结； 通过掺杂形成的至少一个第二PN结，所述第二PN结与所述第一PN结并列且反向设置； 所述沟槽栅极区域（20）包括隔离设置的控制栅区域（21）以及屏蔽栅区域（22），所述第一PN结和所述第二PN结均形成于所述控制栅区域（21）内； 所述沟槽型碳化硅MOSFET结构还包括： 第一导电类型衬底（11）； 第一导电类型半导体漂移区（12），形成于所述第一导电类型衬底（11）上方； 第二导电类型半导体基区（13），形成于所述第一导电类型半导体漂移区（12）的上方；以及 第一导电类型半导体源区（14），形成于所述第二导电类型半导体基区（13）的上方； 所述沟槽栅极区域（20）形成于所述第一导电类型半导体漂移区（12）、所述第二导电类型半导体基区（13）以及所述第一导电类型半导体源区（14）内； 所述沟槽栅极区域（20）还包括沟槽（23），所述沟槽（23）从上至下依次穿过第一导电类型半导体源区（14）、第二导电类型半导体基区（13），延伸至第一导电类型半导体漂移区（12）中，所述控制栅区域（21）以及屏蔽栅区域（22）均位于所述沟槽（23）内，且所述控制栅区域（21）位于所述屏蔽栅区域（22）的上方； 所述沟槽内填充有第一隔离介质（41），所述控制栅区域（21）以及屏蔽栅区域（22）通过所述第一隔离介质（41）与所述第一导电类型半导体源区（14）、第二导电类型半导体基区（13）以及第一导电类型半导体漂移区（12）隔离； 控制栅区域以及屏蔽栅区域之间同样通过第一隔离介质隔离。

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