安徽三安光电有限公司王瑜获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽三安光电有限公司申请的专利一种发光二极管的外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911197B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211326384.7，技术领域涉及：H10H20/811；该发明授权一种发光二极管的外延结构及其制备方法是由王瑜;李跃华;武梦鸽;汤恒;李家安;陈志豪;李政鸿;林兓兓设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管的外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及发光半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管的外延结构，包括衬底，述外延结构还包括依次设于衬底上的缓冲层、3D成核层、2D填平层、N型层、过渡层、有源层和P型层，所述3D成核层和2D填平层中均采用n型掺杂，且3D成核层中n型掺杂的浓度高于2D填平层中n型掺杂。本发明通过在成核层调整Si掺杂浓度高于填平层，通过成核层通入高掺Si的方式，获得较多的插排位错，便于后续过渡层提升Pits密度，降低电压和提升亮度。
本发明授权一种发光二极管的外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管的外延结构，包括衬底，其特征在于，所述外延结构还包括依次设于衬底上的缓冲层、3D成核层、2D填平层、N型层、过渡层、有源层和P型层，所述3D成核层和2D填平层中均采用n型掺杂，且3D成核层中n型掺杂的浓度高于2D填平层中n型掺杂；所述n型掺杂的元素包括Si，所述3D成核层中掺杂Si的浓度大于5E18cm3，2D填平层中掺杂Si的浓度为5E17~E19cm3，所述N型层中掺杂Si的浓度大于2E19cm3，所述衬底上设有多个相间隔的凸起，相邻凸起之间的间隙空间内由下到上依次设置所述缓冲层和3D成核层，且凸起的外侧壁附着有缓冲层。
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