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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种碳化硅晶锭的激光剥离方法及其装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115555735B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211322498.4，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权一种碳化硅晶锭的激光剥离方法及其装置是由张紫辰;侯煜;文志东;张喆;石海燕;张昆鹏;李曼设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶锭的激光剥离方法及其装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅晶锭的激光剥离方法及其装置，该激光剥离方法先将超短脉冲激光光束的焦点聚焦在碳化硅晶锭的设定深度层位置，在设定深度层位置的上方分别产生空洞改质形成区域和裂纹改质形成区域，并扫描形成空洞改质层和裂纹改质层。之后将短脉冲激光光束的焦点向设定深度层之上的位置移动一定范围，使短脉冲激光光束的焦点聚焦在裂纹改质形成区域，产生垂直于短脉冲激光光束方向的散射，使裂纹改质形成区域内的裂纹横向向外生长，并扫描使相邻的裂纹改质形成区域内的裂纹通过横向生长连接在一起。减少改质层内的裂纹沿碳化硅晶锭纵向扩展的量和长度，增加横向裂纹生长的数量和裂纹生长长度，减少切割损耗厚度，减少浪费。

本发明授权一种碳化硅晶锭的激光剥离方法及其装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶锭的激光剥离方法，其特征在于，包括： 提供待切割的碳化硅晶锭； 将超短脉冲激光光束的焦点聚焦在所述碳化硅晶锭的设定深度层位置，以在所述设定深度层位置的上方分别产生空洞改质形成区域和裂纹改质形成区域；其中，所述空洞改质形成区域位于所述设定深度层位置与所述裂纹改质形成区域之间； 控制所述超短脉冲激光光束的焦点在所述碳化硅晶锭的设定深度层扫描，以在所述设定深度层位置的上方分别形成空洞改质层和裂纹改质层；其中，所述空洞改质层由多个所述空洞改质形成区域组成，所述裂纹改质层由多个所述裂纹改质形成区域组成，且所述空洞改质层位于所述设定深度层与所述裂纹改质层之间； 将短脉冲激光光束的焦点聚焦在所述裂纹改质形成区域，产生垂直于所述短脉冲激光光束方向的散射，使所述裂纹改质形成区域内的裂纹横向向外生长； 控制所述短脉冲激光光束的焦点在所述裂纹改质层扫描，以使所述裂纹改质层中任意相邻的裂纹改质形成区域内的裂纹通过横向生长连接在一起； 以所述裂纹改质层为界面，将碳化硅晶锭的一部分剥离生成晶片。

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