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龙图腾网获悉海宁波恩斯坦生物科技有限公司申请的专利用于ESD防护的PWELL隔离的栅控二极管触发SCR器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621277B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211312469.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权用于ESD防护的PWELL隔离的栅控二极管触发SCR器件是由董树荣;邓非凡;陈奕鹏;朱信宇;刘红梅设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于ESD防护的PWELL隔离的栅控二极管触发SCR器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于ESD防护的PWELL隔离的栅控二极管触发SCR器件，包括：通过在常规SCR上增加P+注入区和第二N阱以及利用栅控二极管辅助触发，提出了一种具有小电压回滞幅度和强ESD鲁棒性的技术方案。一方面，该SCR器件具有栅控二极管的辅助触发路径，可降低器件的触发电压并增加电流泄放能力；另一方面，随着ESD应力的增强，该器件位于表面与衬底的SCR触发路径开启，有利于增强器件的ESD电流泄放能力，提高器件的ESD鲁棒性，且较长的基区宽度可提高器件的维持电压，有利于改善ESD保护器件存在的深回滞问题。

本发明授权用于ESD防护的PWELL隔离的栅控二极管触发SCR器件在权利要求书中公布了：1.一种用于ESD防护的PWELL隔离的栅控二极管触发SCR器件，包括P衬底，其特征在于，还包括设置于P衬底表面的第一N阱、P阱、第二N阱，分别嵌入所述第一N阱和所述P阱的第一N+注入区和第二P+注入区，横跨所述第一N阱和所述P阱且嵌入的第一P+注入区，横跨所述P阱和所述第二N阱且嵌入的第三P+注入区，间隔嵌入所述第二N阱的第二N+注入区、第四P+注入区、第三N+注入区； 所述第一N阱表面且所述第一N+注入区和所述第一P+注入区之间设有第一薄栅氧化层及覆盖其上的第一多晶硅栅层，所述第二N阱表面且所述第三P+注入区和所述第二N+注入区之间设有第二薄栅氧化层及覆盖其上的第二多晶硅栅； 由所述第一N+注入区、所述第一N阱、所述第一薄栅氧化层及覆盖其上的第一多晶硅栅层和所述第一P+注入区构成正向栅控二极管D2； 由所述第三P+注入区、所述第二N阱、所述第二薄栅氧化层及覆盖其上的第二多晶硅栅和所述第二N+注入区构成反向栅控二极管D1； 由所述第二N阱和所述第三N+注入区构成寄生电阻Rn1，由所述第四P+注入区、所述第二N阱、所述P阱和所述P衬底构成寄生PNP三极管Q1，由所述第四P+注入区、所述第二N阱、所述第三P+注入区构成寄生PNP三极管Q2，由所述第二P+注入区、所述P阱和所述第三P+注入区构成寄生电阻Rp1，由所述第二N阱、所述P阱和所述第一N阱构成寄生NPN三极管Q3，由P衬底构成寄生电阻Rp2，由所述第一N+注入区与所述第一N阱构成寄生电阻Rn2； 所述SCR器件用于ESD保护时，SCR器件的电路连接包括：所述第一N+注入区与第一金属相连，所述第一多晶硅栅与第二金属相连，所述第一P+注入区与第三金属相连，所述第二P+注入区与第四金属相连，所述第三P+注入区与第五金属相连，所述第二多晶硅栅与第六金属相连，所述第二金属、所述第三金属、所述第五金属和所述第六金属均与第十金属相连，所述第一金属和所述第四金属均与第九金属相连，从所述第九金属引出第一电极，用作器件的金属阴极； 所述第四P+注入区与第七金属相连，所述第三N+注入区与第八金属相连，所述第七金属和所述第八金属均与第十一金属相连，从所述第十一金属引出第二电极，用作器件的金属阳极。

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