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龙图腾网获悉上海川土微电子有限公司申请的专利一种用于全差分运算放大器的防共模电压锁死电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115622512B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211265587.X，技术领域涉及：H03F1/52；该发明授权一种用于全差分运算放大器的防共模电压锁死电路是由杨峰;恽廷华设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于全差分运算放大器的防共模电压锁死电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于全差分运算放大器的防共模电压锁死电路，包括：两级运算放大器主电路、共模反馈电路和防锁死电路；所述防锁死电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和电阻，所述第一MOS管的栅极连接所述共模反馈电路的输入端，所述第一MOS管的漏极、所述第二MOS管的栅极、第三MOS管的栅极连接所述电阻，所述第二MOS管的漏极、第三MOS管的漏极连接至所述两级运算放大器主电路的运放第一级电路的输出。本发明电路结构简单，消耗资源少，解除锁死的速度快，对运放本身的性能影响小，使用场景不受限。

本发明授权一种用于全差分运算放大器的防共模电压锁死电路在权利要求书中公布了：1.一种用于全差分运算放大器的防共模电压锁死电路，其特征在于，包括：两级运算放大器主电路、共模反馈电路和防锁死电路； 所述防锁死电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和电阻，所述第一MOS管的栅极连接所述共模反馈电路的输入端，所述第一MOS管的漏极、所述第二MOS管的栅极、第三MOS管的栅极连接所述电阻，所述第二MOS管的漏极、第三MOS管的漏极连接至所述两级运算放大器主电路的运放第一级电路的输出； 当所述共模反馈电路的输入为共模电平锁死在高电平时，高电平传输至所述第一MOS管，使得所述第一MOS管关断，所述第二MOS管和所述第三MOS管的电压通过所述电阻下拉至低电平，使得所述第二MOS管和所述第三MOS管导通，将所述运放第一级电路的输出电压从低电平拉至高电平，输出至所述两级运算放大器主电路的运放第二级电路，将所述运放第二级电路的输出电压拉低，脱离锁死状态； 当所述共模反馈电路的输入为共模电平锁死在低电平时，低电平传输至所述第一MOS管，使得所述第一MOS管关断，所述第二MOS管和所述第三MOS管的电压通过所述电阻上拉至高电平，使得所述第二MOS管和所述第三MOS管导通，将所述运放第一级电路的输出电压从高电平拉至低电平，输出至所述两级运算放大器主电路的运放第二级电路，将所述运放第二级电路的输出电压拉高，脱离锁死状态。

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