中国电子科技集团公司第十一研究所高达获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十一研究所申请的专利一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115679440B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211267884.8，技术领域涉及：C30B23/06；该发明授权一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法是由高达;王丹;李震;周朋;王丛设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法，包括：固定衬底；利用热偶控制外延表面温度，采用温度补偿生长方式，基于所述衬底生长碲镉汞材料，并进行As掺杂；在生长碲镉汞材料的过程中，确定不同深度As掺杂浓度的变化量；预测在对应深度处碲镉汞外延表面温度偏离碲镉汞生长温度窗口程度；基于所确定的外延表面温度偏离程度，修正所述温度补偿生长方式，并重复基于所述衬底生长碲镉汞材料，直至As浓度不随碲镉汞深度发生变化。本申请实施例对温度偏离度的表征方式进行了设计，修正了生长温度降低曲线，解决了碲镉汞外延表面温度无法精确表征而造成碲镉汞材料质量差的问题。
本发明授权一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法在权利要求书中公布了：1.一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法，其特征在于，包括： 固定衬底； 利用热偶控制外延表面温度，采用温度补偿生长方式，基于所述衬底生长碲镉汞材料，并进行As掺杂； 在生长碲镉汞材料的过程中，确定不同深度As掺杂浓度的变化量； 根据所确定的不同深度As掺杂浓度的变化量预测在对应深度处碲镉汞外延表面温度偏离碲镉汞生长温度窗口程度； 基于所确定的外延表面温度偏离程度，修正所述温度补偿生长方式，并重复基于所述衬底生长碲镉汞材料，直至As浓度不随碲镉汞深度发生变化。
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