天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司袁祥龙获国家专利权
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龙图腾网获悉天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司申请的专利一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115476265B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211245952.0，技术领域涉及：B24B37/04；该发明授权一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺是由袁祥龙;刘园;武卫;刘建伟;祝斌;刘姣龙;裴坤羽;孙晨光;王彦君;张宏杰;由佰玲;常雪岩;杨春雪;谢艳;刘秒;吕莹;徐荣清设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，至少对抛光后的硅片进行一次粗抛和一次精抛；在粗抛所用的粗抛液中加入活性剂，且加入活性剂的时间小于粗抛的时间。本发明一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，在每一抛光工序中都添加活性剂，且添加活性剂的时间至少持续5s，即可完全抛光掉硅片表面上的颗粒，抛光效果好且抛光效率高；可有效提升硅片表面颗粒的洁净度，对后期器件质量有较大改善，且硅片利用率高，节约成本。
本发明授权一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺在权利要求书中公布了：1.一种去除硅片表面颗粒的抛光工艺，其特征在于，步骤包括：至少对硅片进行一次粗抛和一次精抛；在粗抛所用的粗抛液中加入活性剂，且加入活性剂的时间小于粗抛的时间； 粗抛时加入活性剂的时间不小于5s； 精抛在粗抛之后，且包括两次精抛，每次精抛时都加入活性剂，且加入活性剂的时间都小于每个精抛的时间； 两次精抛中加入活性剂的时间相同，且均不小于5s； 精抛中加入活性剂的时间不大于粗抛中加入活性剂的时间； 其中，粗抛的时间为200-300s； 粗抛液温度不超过25°； 粗抛液中含有二氧化硅磨粒的浓度为18-22％，且二氧化硅的平均粒径为40-50nm；且粗抛液与水的体积比为1：25； 每次精抛的时间为200-300s，且两次精抛时间相同； 精抛液温度不超过25°； 精抛液中含有二氧化硅磨粒的浓度为8.7-10％，且二氧化硅的平均粒径为30-38nm；精抛液与水的体积比为1：30； 粗抛和所有精抛中所用的活性剂均相同且均为酸性，且所述酸性活性剂为Drynon-C。
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