北京燕东微电子科技有限公司刘恩峰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京燕东微电子科技有限公司申请的专利半导体器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211206490.1，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件结构及其制备方法是由刘恩峰设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该半导体器件结构包括半导体衬底；形成在所述衬底上的栅结构和形成在栅结构两侧的第一栅极侧墙；形成在所述半导体衬底中位于栅结构下方的沟道区、沟道区两侧的轻掺杂区和轻掺杂区两侧外延生长的源漏区，以及分别形成在轻掺杂区侧下方紧邻源漏区的至少一个扩散阻挡区，所述扩散阻挡区的掺杂浓度高于沟道区的掺杂浓度。通过在衬底沟道区两侧的轻掺杂区侧下方和源漏区之间嵌入重掺杂的扩散阻挡结构，使得用于减小短沟道效应的掺杂杂质以及用于形成源漏区的掺杂杂质的分布集中在位置确定的区域中，能够在有效减小短沟道效应的同时保持器件的驱动能力Idsat不变，实现了器件性能和功耗的平衡。
本发明授权半导体器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括： 半导体衬底； 形成在所述衬底上的栅结构和形成在栅结构两侧的第一栅极侧墙； 形成在所述半导体衬底中位于栅结构下方的沟道区、沟道区两侧的轻掺杂区和轻掺杂区两侧外延生长的源漏区，以及分别形成在轻掺杂区侧下方紧邻源漏区的多个扩散阻挡区，所述扩散阻挡区的掺杂浓度高于沟道区的掺杂浓度， 所述多个扩散阻挡区包括依次排布至所述源漏区的第一扩散阻挡区、第二扩散阻挡区和第三扩散阻挡区，其中所述第三扩散阻挡区和所述第一扩散阻挡区的掺杂元素相同，所述第三扩散阻挡区和第一扩散阻挡区的掺杂元素为C或N，所述第二扩散阻挡区具有与沟道区相同的掺杂类型。
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