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龙图腾网获悉深圳先进技术研究院申请的专利CIGS太阳能电池表面改性方法、装置及CIGS太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498068B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211156909.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权CIGS太阳能电池表面改性方法、装置及CIGS太阳能电池是由唐玮;李伟民;苑欣业;俞深;王赛强;李松;赵晨晨;祁同庆;马明;宁德;杨春雷设计研发完成，并于2022-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本CIGS太阳能电池表面改性方法、装置及CIGS太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请提供的CIGS太阳能电池表面改性方法及装置，开启所述微波功率源，使得所述微波等离子体产生室的惰性气体电离并产生微波等离子体，所述偏转线圈产生的磁场将所述微波等离子体从所述微波等离子体产生室引出至所述真空室，并对所述真空室内的所述CIGS薄膜进行表面改性处理，不仅可以去除表面的Cu‑Se相，还可以减弱CIGS薄膜中Ga的不均匀状况，避免薄膜出现对太阳能的屏蔽作用，从而达到材料表面改性的目的，以获得了更高光电转换效率。另外，本申请还提供了一种CIGS太阳能电池。

本发明授权CIGS太阳能电池表面改性方法、装置及CIGS太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种CIGS太阳能电池表面改性方法，其特征在于，包括下述步骤： 在钠钙玻璃衬底上沉积Mo背电极； 在所述Mo背电极上沉积CIGS薄膜； 在所述Mo背电极上沉积CIGS薄膜，包括：第一步，在360-390℃衬底温度下，在所述Mo背电极表面蒸发85-90％左右的In和Ga，形成In,Ga2Se3预制层；第二步，打开Cu源的挡板，只蒸发Cu，形成CIGS结晶；第三步，保持衬底温度与第二步相同，蒸发剩下的10％的In和Ga，保持蒸发的时间在15-20分钟，使其与第二步中过量的Cu反应，最终生成略贫Cu的CIGS薄膜； 对所述CIGS薄膜进行表面改性处理，采用改性装置进行改性处理，所述改性装置包括真空室、设置于所述真空室内及外侧的偏转线圈、与所述真空室连接的微波等离子体单元，所述微波等离子体单元包括微波功率源、与所述微波功率源连接的微波等离子体产生室及围绕所述微波等离子体产生室设置的磁场线圈，所述微波等离子体产生室与所述真空室连接，所述真空室内还设置有所述CIGS薄膜； 开启所述微波功率源，使得所述微波等离子体产生室的惰性气体电离并产生微波等离子体，偏转线圈产生的磁场将微波等离子体从微波等离子体产生室引出至真空室，微波等离子体并对真空室内的所述CIGS薄膜进行表面改性处理，所述微波等离子体在所述CIGS薄膜表面清除所述CIGS薄膜表面的CuSe；游离态的Se吸收微波等离子体中的电子，转变成Se离子； 在表面改性的所述CIGS薄膜上制备i-ZnO和AZO窗口层； 在所述i-ZnO和AZO窗口层上沉积NiAlNi栅电极； 在所述第一步中，在360-390℃衬底温度下，在所述Mo背电极表面蒸发有NaF、KF或者在完成第三步后，于300℃温度下，再蒸镀一层NaF或KF层； 开启所述微波等离子体产生室与样品架之间的高压电源，在所述微波等离子体产生室与所述样品架之间加载高压； 加载在所述微波等离子体产生室与所述样品架之间的高压电源电压在200V～1000V之间，所述微波等离子体的微波功率为45W，气体流量为5sccm，工作压强为2×10-3p。

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