常州纵慧芯光半导体科技有限公司刘嵩获国家专利权
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龙图腾网获悉常州纵慧芯光半导体科技有限公司申请的专利一种晶圆的氧化孔径的检测方法、装置和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115523824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211136945.7，技术领域涉及：G01B7/12；该发明授权一种晶圆的氧化孔径的检测方法、装置和设备是由刘嵩;翁玮呈;丁维遵设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆的氧化孔径的检测方法、装置和设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆的氧化孔径的检测方法、装置和设备，检测方法包括：获取参考晶圆的参考氧化孔的直径与参考氧化孔所在参考台阶的电阻值的映射关系；参考晶圆的材质与待测晶圆的材质相同；获取待测晶圆的待测台阶的电信号；待测台阶包括一个待测氧化孔；电信号包括电流信号和电压信号；根据映射关系和待测台阶的电信号，确定待测台阶中待测氧化孔的直径。采用上述技术方案，提高了检测结果的准确性，仅通过待测台阶的电信号和映射关系即可确定待测氧化孔的直径，检测方法简单快速，可以在出货前提前得知待测氧化孔是否合格，避免不良产品出货的风险过高。
本发明授权一种晶圆的氧化孔径的检测方法、装置和设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的氧化孔径的检测方法，其特征在于，所述晶圆包括多个VCSEL激光器设置区，所述VCSEL激光器设置区包括台阶、第一电极和第二电极；所述台阶包括氧化层，所述氧化层包括氧化孔；所述第一电极至少部分位于所述台阶远离所述氧化孔的一侧；其中，所述第一电极在所述氧化层所在平面的投影与所述台阶在所述氧化层所在平面的投影交叠； 所述检测方法包括： 获取参考晶圆的参考氧化孔的直径与所述参考氧化孔所在参考台阶的电阻值的映射关系；所述参考晶圆的材质与待测晶圆的材质相同； 获取所述待测晶圆的待测台阶的电信号；所述待测台阶包括一个待测氧化孔；所述电信号包括电流信号和电压信号； 根据所述映射关系和所述待测台阶的电信号，确定所述待测台阶中所述待测氧化孔的直径。
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