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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利一种砷化镓基集成电路工艺下的去嵌入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115372799B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211098705.2，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种砷化镓基集成电路工艺下的去嵌入方法是由冯文杰;徐楚;沈光煦设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种砷化镓基集成电路工艺下的去嵌入方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种砷化镓基集成电路工艺下的去嵌入方法，该方法步骤如下：构建直通、反射和线校准件结构；获取待测件及校准件的S参数；求解引线及焊盘结构引入的八项误差；根据所求八项误差完成对待测件S参数的去嵌入；其中引线及焊盘结构引入的八项误差由直通、反射、线校准件的S参数，通过散射参数级联、信号流分析和矩阵恒等的方法求出，并最终根据散射参数级联原理完成对待测件S参数的去嵌入。该方法可消除砷化镓基射频集成电路测量时引线及焊盘结构对原电路性能造成的影响，具有去嵌入效果好，所需校准件少，计算资源占用低的优点。

本发明授权一种砷化镓基集成电路工艺下的去嵌入方法在权利要求书中公布了：1.一种砷化镓基集成电路工艺下的去嵌入方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、根据待测件引线及焊盘结构，构建直通、反射、线校准件； 步骤2、获取待测件及校准件的S参数； 步骤3、求解引线及焊盘结构引入的八项误差，具体包括： 步骤3-1、将直通校准件和线校准件的S参数矩阵转化成级联T参数矩阵； 步骤3-2、根据T参数的级联原理，有直通件T参数矩阵等于待测件两侧误差网络T参数矩阵级联，线校准件T参数矩阵等于待测件两侧误差网络T参数矩阵中间与延长线T参数矩阵级联；根据这两个矩阵恒等关系联立方程组，求解出待测件两侧误差网络的误差项e1、e2； 设待测件左右焊盘和引线引入的T参数误差矩阵TA、TB， a、b、c、d、e、f、x22、y22为所设待测件左右焊盘和引线引入的T参数误差矩阵的未知量，即所要求取的八项误差；将直通校准件和线校准件的S参数矩阵转化成级联T参数矩阵Tt和Tl，有其中Tt和Tl为直通件和线校准件的级联T参数矩阵，是线校准件T参数矩阵乘直通校准件T参数矩阵的逆；反射件输入端口处回波损耗为SR11、SR22均为已知量； 根据Tt＝TA*TB、Tl＝TA*TL*TB的矩阵等式关系代入消元得到： 根据以上矩阵恒等关系得到关于误差项e1、e2的方程组： 其中e2＝b，TL为线校准件延长线的T参数矩阵，误差项e1、e2即为上述方程的解； 步骤3-3、根据直通件T参数矩阵等于待测件两侧误差网络T参数矩阵级联的恒等关系，通过代入误差项e1、e2并消元化简，求解出待测件两侧误差网络的误差项e3、e4、e5、e6； 根据Tt＝TA*TB的直通件级联关系有如下矩阵等式： 根据以上矩阵恒等关系求解出下述四个误差项： 步骤3-4、根据反射校准件两端口的级联T参数矩阵运算规则，第一端口归一化电压波等于反射件网络级联T参数矩阵乘以第二端口归一化电压波，得到反射校准件端口散射参数、终端反射率和反射件级联T参数关于端口归一化电压波的表达式，经消元化简求出待测件两侧误差网络的误差项e7、e8； 由反射校准件两端口级联T参数矩阵与端口归一化电压波关系得： 其中aij、bij为反射校准件端口处归一化电压波，i为反射校准件输入端口编号，j为单侧反射件端口编号；反射件末端开路处反射系数为ΓR，通过消元、化简求得误差项如下： 步骤4、根据所求八项误差完成对待测件S参数的去嵌入。

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